“米勒電容”不是個實(shí)在存在于MOSFET中的電容，它是MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入（即棚源間）的等效電容。由米勒定理可知，這個等效電容比棚漏間的實(shí)際電容要大許多，這個效應(yīng)所形成的等效電容稱為米勒電容。
由此可見，在棚源極間并一個電容無助于減小米勒電容，反之更會降低MOSFET的開啟速度。米勒電容的計(jì)算，可查數(shù)據(jù)手冊中的Cgd，然后根據(jù)具體電路的電壓增益計(jì)算。

謝謝HWM師傅！
米勒電容的計(jì)算，可查數(shù)據(jù)手冊中的Cds？不是Cgd嗎？

re 3L：

2樓有誤，應(yīng)該是Cgd。

在g與s之間并聯(lián)電容對減少M(fèi)OS管開通關(guān)斷時間毫無用處，恰恰相反，會增加開通關(guān)斷時間。
功率MOS管往往給出一定條件下管子開通所需要的電量和充電曲線，可以作為驅(qū)動設(shè)計(jì)的參考。

電容越并越大！如果理論上可能串一個還差不多，不過米勒電容是個等效電容無法串嘀！

MAY老爺子還沒休息啊

在關(guān)斷感性負(fù)載時，如果驅(qū)動電路的內(nèi)阻不夠小，在MOS的GS間并聯(lián)一個適當(dāng)?shù)碾娙荩煞乐龟P(guān)斷時因米勒電容影響出現(xiàn)的漏極電壓塌陷。

LS能詳細(xì)講解一下漏極電壓塌陷嗎？

9樓：
這就是MOS管充電曲線。
從圖中可以看出米勒電容不是在整個充電過程中都起作用，僅在MOS管處于線性放大狀態(tài)時起作用。
圖中曲線接近水平部分是米勒電容起作用的部分。左邊傾斜上升部分，MOS管尚未導(dǎo)通，右邊傾斜上升部分，MOS管已經(jīng)進(jìn)入可變電阻區(qū)(在開關(guān)電源中借用雙極型三極管說法是“飽和”)。
米勒電容起作用部分接近水平，可見米勒電容相當(dāng)大，
可見充電過程是非線性的，所以計(jì)算米勒電容意義不大。驅(qū)動電路應(yīng)該在設(shè)計(jì)的上升時間內(nèi)將門極充電到一定電壓。如果需要知道米勒電容具體數(shù)值，可以量一量圖中曲線接近水平部分的斜率來計(jì)算，這樣比較準(zhǔn)確。

這個電容可以代替變?nèi)荻O管做VCO用，蠻好使的。

當(dāng)采用共射放大電路而且增益比較大時要重點(diǎn)考慮，
解決辦法：1降低源的阻抗2共射共基級聯(lián)，共射提供電流增益，公基提供電壓增益3。。。。。。

14樓：
正確。
不過，說“米勒電容(或米勒效應(yīng))僅在飽和區(qū)存在”更好一些。
2樓HWM的表述已經(jīng)說明：米勒電容并非常數(shù)，而是隨增益而變化的。

受教了...

呵呵呵好好學(xué)習(xí)