? ? 最近咱們的新系統(tǒng)計量儀表項目上，第一次用到了鐵電存儲/FRAM這個新玩意兒（富士通半導體2.7V-5.5V寬電壓FRAM——MB85RC256V），惡補了一些鐵電存儲的基礎知識，這次也順道在慕尼黑電子展上在富士通的展會上與他們的專家有不少的交流和學習，增長不少知識。網(wǎng)上FRAM的資料好少，down的都是英文的，英語不好害死人?。?！發(fā)現(xiàn)FRAM小白真心不少，這里，分享普及一些FARM方面的知識，大牛如果誤點進來就給小弟一些學習FRAM經(jīng)驗介紹吧！


什么是FRAM?
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM同 時具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的優(yōu)點，在高速寫入、高耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。

關于鐵電介質
下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點之間移 動。一旦位置設定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回 線。數(shù)據(jù)以“1”或“0”的形式存儲。
PZT晶體結構和FRAM工作原理
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當加置電場時就會產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動）
即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。
兩個穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲。
存儲器分類中的FRAM

與其它存儲器產(chǎn)品相比，F(xiàn)RAM的特性