頂一下，我測(cè)了一下，新片子一個(gè)壞塊都沒(méi)有。

如果發(fā)生位翻轉(zhuǎn)但再讀又是好的，說(shuō)明還是你的讀操作時(shí)序有問(wèn)題，存儲(chǔ)器本身一經(jīng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)便是固定的，除非存儲(chǔ)器有故障或質(zhì)量問(wèn)題。

問(wèn)題就是“位反轉(zhuǎn)是否是被允許存在的一個(gè)故障或質(zhì)量問(wèn)題”。有空做個(gè)測(cè)試看看。

我就這個(gè)問(wèn)題專門問(wèn)過(guò)nand的原廠，一般的nand提供1bit的ECC，就是一個(gè)bit的反轉(zhuǎn)可以修正過(guò)來(lái)，那如果產(chǎn)生兩個(gè)bit會(huì)怎么樣呢？直接判為不良品，因?yàn)橐话愕南到y(tǒng)應(yīng)用中，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰，目前隨nand的容量越來(lái)越大，其一個(gè)存儲(chǔ)單源要標(biāo)示2種或4種狀態(tài)，其發(fā)生反轉(zhuǎn)的概率成指數(shù)上升，所以目前的大容量的nand提供2bit，或4bit的ECC。所以超過(guò)ECC能力的位反轉(zhuǎn)直接判斷為不良品。

我的意思是NAND是下面哪一種情況：
一：只要確認(rèn)寫(xiě)入了，下次來(lái)讀就一定是對(duì)的；
二：某次讀是對(duì)的，下次讀有可能出位反轉(zhuǎn)，再過(guò)一會(huì)來(lái)讀又好了；
三：只要某次讀得時(shí)候位反轉(zhuǎn)了，那以后讀都是錯(cuò)的。

位反轉(zhuǎn)是不是就是2或3的原因？

位反轉(zhuǎn)如果不是讀寫(xiě)時(shí)序不當(dāng)就是器件本身的問(wèn)題。

算了，結(jié)貼了

頂一下，我測(cè)了一下，新片子一個(gè)壞塊都沒(méi)有。
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不是沒(méi)有壞塊，而是里面有romfuse，用戶是看不到的，壞塊都在里面標(biāo)出來(lái)了。測(cè)試工程師可以看到。

你好版主，我想咨詢你下，我們的一下arm產(chǎn)品，nand 啟動(dòng)，一段時(shí)間后經(jīng)常出現(xiàn)系統(tǒng)無(wú)法啟動(dòng)的情況，重?zé)到y(tǒng)后又恢復(fù)，有可能什么原因產(chǎn)生這個(gè)問(wèn)題呢。還有如果板子時(shí)序和質(zhì)量沒(méi)有問(wèn)題不會(huì)出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象嗎？