推挽和單端驅(qū)動是不同的。
推挽電路，無論驅(qū)動MOS門極由低到高還是驅(qū)動由高到低，其驅(qū)動能力是一樣的。
單端電路，這一支三極管由截止到導(dǎo)通的驅(qū)動能力強(qiáng)，由導(dǎo)通到截止驅(qū)動能力弱，因此時完全靠三極管的負(fù)載電阻來驅(qū)動MOS門極。

謝謝老爺子！
這么說它們的區(qū)別就是單端電路截止時的驅(qū)動電流不一樣嘍

3樓：
是的。
單端電路用于頻率較低場合沒有問題，頻率高了就不行，因驅(qū)動電流不夠大，限制了MOS管速度。

老爺子，小弟有點(diǎn)愚昧
頻率怎么影響驅(qū)動電流了，I=VDD/Rc ，I不是有Rc決定的嗎?

5樓：
不是頻率影響驅(qū)動電流，而是較小的驅(qū)動電流使得MOS管導(dǎo)通或關(guān)斷所需要的時間變得較長，從而影響MOS管可以工作的頻率。
MOS管門極輸入是電容性質(zhì)，不僅是管子的輸入電容，還包括米勒電容(最近本版有個討論米勒電容的帖)。要使MOS管導(dǎo)通或關(guān)斷，必須對這些電容充電或放電。要導(dǎo)通或關(guān)斷快，充電或放電電流就要夠大，電流小，充電放電時間一定比較長，換言之，MOS管工作頻率上不去。

7樓：
沒錯，單端電路如果負(fù)載電阻很小，也可以提供足夠的電流，但你計算一下就知道了，那個功率是無法接受的。
推挽電路，僅在驅(qū)動脈沖上升沿和下降沿提供驅(qū)動電流，功率MOS管導(dǎo)通期間和截止期間都沒有電流。但單端電路在功率MOS管的整個截止期間卻要流過電流。
有一個電路可以避免這樣大的功耗：用NPN管射極輸出驅(qū)動功率MOS管(N溝)導(dǎo)通，另用一支PNP管和一支二極管使功率MOS管關(guān)斷。

還是沒看明白，三極管推挽驅(qū)動mos門極由高到低或者由低到高，驅(qū)動能力一樣。
這個由高到低和由低到高指的是什么參數(shù)值？
驅(qū)動能力一樣是指的驅(qū)動電流大小不變嗎？

8# maychang

二極管用來干上面什么呢？

說的有道理，可是不大明白呢

mark,學(xué)習(xí)

單管驅(qū)動,MOS管柵極電壓上升沿很陡峭,跟推挽驅(qū)動是—樣的,但是在下降沿,只靠單管驅(qū)動下面的負(fù)載電阻去泄放掉柵極上的電荷,需要很長的時間,在這段時間MOS管會經(jīng)過-一個線性區(qū),在線性區(qū)MOS管的功耗陡然增大,會發(fā)熱滴。解決的辦法是用推挽驅(qū)動,下面的驅(qū)動管是專門快速泄放柵極上的電荷的。這樣就避免MOS管進(jìn)入線性區(qū)。不知可否理解·

單管驅(qū)動，就相當(dāng)于給MOS開關(guān)管柵極充電時是 驅(qū)動管飽和，電源直接加在電容上充電，充電相當(dāng)快，但放電時驅(qū)動管截止了，只能靠下拉電阻放電，當(dāng)然慢了

推挽也就是圖騰驅(qū)動 充電時是上面的三極管飽和導(dǎo)通，電源直接給柵容充電
放電時是下面的三極管飽和導(dǎo)通，電容相當(dāng)于直接對地短路放電（當(dāng)然為了說明差別，理想化了，實(shí)際上受引線阻抗以及三極管集電極最大電流的限制）

你說哪個放的快



另外，就是因?yàn)槌浞烹婋娏髦饕苋龢O管集電極電流的限制，所以如果開關(guān)頻率較高時，還要保證可以接受的上升沿時間及下降沿時間，必須提高圖騰驅(qū)動能力
也就是換集電極電流更大的三極管對管

樓上各位高手說的充電是個什么概念？結(jié)電容嗎？記得不是柵極電壓高就導(dǎo)通嗎？

那是穩(wěn)態(tài)的情況下，只要一定電壓，不消耗電流就能導(dǎo)通
因?yàn)殡娙菰诜€(wěn)態(tài)下相當(dāng)于斷路
但在交流下，電容兩端的電壓建立和消除都需要時間
交流下電容的充放電 每本電工書上都有，樓主可以仔細(xì)看看就明白了

同意14的意見

有點(diǎn)深奧?。。?！不是很明白啊

14樓講解的不錯，學(xué)習(xí)了

MARK 好帖子