這是長(zhǎng)線耦合空間的電磁干擾所致，說(shuō)明你的系統(tǒng)EMC設(shè)計(jì)不良。
改進(jìn)方法：注意電源設(shè)計(jì)及去耦，PCB布局走線和去耦電容的放置、連線都是有講究的。另外可以在編碼器的供電端加電容去耦和磁珠抑噪，數(shù)據(jù)線上也可加磁珠抑噪聲。

 

編碼器接口直接相連MCU的IO嗎？沒(méi)圖不好分析

編碼器輸出的ttl信號(hào)，直接接單片機(jī)io口。因?yàn)槭歉唠娖接?jì)數(shù)，所以每個(gè)io口有一個(gè)2k的下拉電阻。

 

這是長(zhǎng)線耦合空間的電磁干擾所致，說(shuō)明你的系統(tǒng)EMC設(shè)計(jì)不良。

改進(jìn)方法：注意電源設(shè)計(jì)及去耦，PCB布局走線 ...

請(qǐng)教編碼器供電端去藕電容用104外，還需不需要并一個(gè)大點(diǎn)的電解電容？供電端的磁珠是電源和地都需要嘛？信號(hào)線串磁珠的話，大小如何選擇？單片機(jī)的io口有2k的下拉電阻。

拆開(kāi)編碼器看看里面是什么。
或者檢查一下編碼器是怎么連接的，和其它干擾源離開(kāi)一點(diǎn)。
檢查接上編碼器，GPIO的電平和波形。

可以量一下電源的紋波

另外，這里IO口上加下拉電阻沒(méi)有意義，如果IO是弱上拉型的，你這么做反而會(huì)弄巧成拙。

設(shè)置成推挽模式僅在做輸出時(shí)才有效，輸入管腳應(yīng)設(shè)置成弱上拉型。
磁珠電感沒(méi)有直插式的，你買的應(yīng)該是穿芯電感，那是用在高頻電路中的，而你的電路中不會(huì)有那么高頻率的噪聲，這樣的電感對(duì)你沒(méi)有用。
常規(guī)數(shù)字電路的電源回路中最多使用的磁珠電感是阻抗（注意不是阻值，完全不同的概念）100歐姆左右的，也是市場(chǎng)上最常見(jiàn)、銷售量最大的型號(hào)。信號(hào)回路的阻抗則要小些，數(shù)十歐姆，關(guān)鍵要看信號(hào)頻率。磁珠電感的最重要參數(shù)不是電感量，而是頻譜響應(yīng)曲線，根據(jù)曲線和實(shí)際電路中需要抑制的噪聲頻譜進(jìn)行匹配選擇。

  設(shè)置成推挽模式僅在做輸出時(shí)才有效，輸入管腳應(yīng)設(shè)置成弱上拉型。

磁珠電感沒(méi)有直插式的，你買的應(yīng)該是穿芯 ...

這個(gè)單片機(jī)設(shè)置io口模式只能是推挽或者漏極開(kāi)路，設(shè)置成推挽輸出后，弱上拉就被禁止了。只有設(shè)置成漏極開(kāi)路才可選擇弱上拉。

我的理解是推挽和漏極開(kāi)路只能一個(gè)存在，因?yàn)閱纹瑱C(jī)通過(guò)設(shè)置相關(guān)寄存器位為0表示漏極開(kāi)路，為1表示推挽。

或者是我的理解有誤？但是按照芯片手冊(cè)，設(shè)置為推挽后，就沒(méi)有弱上拉了。

所有MCU都支持弱上拉IO（反例我沒(méi)見(jiàn)過(guò)），上電默認(rèn)態(tài)就是。建議你再好好看看器件手冊(cè)。

建議重新焊接MCU，必要時(shí)先吹下來(lái)，它再重焊接。

 

建議重新焊接MCU，必要時(shí)先吹下來(lái)，它再重焊接。

單片機(jī)是機(jī)器焊的，焊接出問(wèn)題的可能性不大吧？而且試了兩塊板都這樣。

要配置成漏極開(kāi)路模式，同時(shí)WEAKPUD置0，使能上拉電阻。默認(rèn)的一定是弱上拉型IO。