????FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
????至于那個“總工”說的話如果不是張一刀記錯了的話，那是連基本概念都不對，只能說那個“總工”不但根本不懂芯片設(shè)計，就連MCU系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)都沒掌握。在芯片的內(nèi)電路中，F(xiàn)LASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上，程序存儲器和非易失數(shù)據(jù)存儲器都可以只用FALSH結(jié)構(gòu)或EEPROM結(jié)構(gòu)，甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲區(qū)”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
????沒有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ骶?，根本無法成為真正的技術(shù)高手。

????EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲器，F(xiàn)lash的操作特性完全符合EEPROM的定義，屬EEPROM無疑，首款Flash推出時其數(shù)據(jù)手冊上也清楚的標(biāo)明是EEPROM，現(xiàn)在的多數(shù)Flash手冊上也是這么標(biāo)明的，二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者，主要的原因是Flash?EEPROM的操作方法和傳統(tǒng)EEPROM截然不同，次要的原因是為了語言的簡練，非正式文件和口語中Flash?EEPROM就簡稱為Flash，這里要強調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別Flash和傳統(tǒng)EEPROM。
????Flash的特點是結(jié)構(gòu)簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快，但缺點是操作過程麻煩，特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫時，所以在MCU中Flash結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫的程序存儲器。
????在很多應(yīng)用中，需要頻繁的改寫某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的EEPROM在此非常適合，所以很多MCU內(nèi)部設(shè)計了兩種EEPROM結(jié)構(gòu)，F(xiàn)LASH的和傳統(tǒng)的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行，特別是在程序存儲地址空間和數(shù)據(jù)存儲地址空間重疊的MCU系中，現(xiàn)在越來越多的MCU生產(chǎn)商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲器，這是低成本下實現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性，不少采用Flash程序存儲器“模擬”（注意，技術(shù)概念上并非真正的模擬）EEPROM數(shù)據(jù)存儲器的廠家紛紛宣稱其產(chǎn)品是帶EEPROM的，嚴(yán)格說，這是非常不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?，但商人有商人的目的和方法，用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業(yè)利益，所以在事實上，技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。
????從成本上講，用Flash“模擬”EEPROM是合算的，反之不會有人干，那么那位“總工”和樓上某網(wǎng)友所說的用EEPROM模擬Flash是怎么回事呢？這可能出在某些程序存儲空間和數(shù)據(jù)存儲空間連續(xù)的MCU上。這類MCU中特別是存儲容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作為非易失存儲器，這在成本上反而比采用Flash和傳統(tǒng)EEPROM雙工藝的設(shè)計更低，但這種現(xiàn)象僅僅限于小容量前提下。因Flash工藝的流行，現(xiàn)在很多商人和不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)募夹g(shù)人員將程序存儲器稱為Flash，對于那些僅采用傳統(tǒng)EEPROM工藝的MCU而言，他們不求甚解，故而錯誤的將EEPROM程序存儲器稱為“模擬Flash”，根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲器結(jié)構(gòu)而非存儲器的用途，錯誤的前提自然導(dǎo)致錯誤的結(jié)論。商業(yè)上講，用EEPROM模擬Flash是不會有人真去做的愚蠢行為，這違背商業(yè)追求最大利益的原則，技術(shù)上也不可行，而對于技術(shù)人員而言，尤其是IC業(yè)內(nèi)的“總工”如果再這么講那只能說明他或她要么根本不了解相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)，要么非常不嚴(yán)謹(jǐn)，這都不符合“總工”的身份。本質(zhì)的問題是Flash是一種存儲器類型而非MCU中的程序存儲器，即使MCU的程序存儲器用的是Flash，但其逆命題不成立。
????在此寫此文，一方面是要澄清技術(shù)概念，另一方面更是不想令錯誤的說法誤人子弟，搞技術(shù)也需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)精神。?

flash?都是仿真的，做芯片的一個總工講的

是不是flash一般用做程序存儲器，而eeprom，ram用作數(shù)據(jù)存儲器？

FLASH全稱是FLASH?MEMORY,翻譯成中文就叫"閃存",和EEPROM一點關(guān)系也沒有

FLASH就是FLASH?,?EEPROM就是EEPROM?,?倆者是沒有什么關(guān)系

FLASH?EEPROM這個名詞是不存在的,是錯的!


還有,那位總工說的是指一些小容量又需要有EEPROM的MCU(如AVR),因為容量小,

一個芯片要同時放下FLASH和EEPROM實在不劃算(因為這二者的制造和測試過程實在差太多了)

為了省下麻煩,就用EEPROM替代FLASH,也就是AVR存程序的"所謂FLASH"和存數(shù)據(jù)的"EEPROM"其實都是EEPROM

這樣作只是成本會高一些,用起來沒差別,這也是大容量AVR比同容量的ARM貴的原因

而且只有EEPROM才適合作到1K,2K,4K(TINY?AVR或89C2051,89S51)的小容量

所以我認(rèn)為那位總工說的沒錯

再研究一下Flash的電路結(jié)構(gòu)。
順便一說，持樓上（或者還包括那位總工）觀點的人不是個別現(xiàn)象，到底誰說的對，但求甚解一下就夠了，需要的僅僅是耐心和細(xì)心。

部分取自?http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory

Although?technically?a?type?of?EEPROM,?the?term?"EEPROM"?is?generally?used?to?refer?specifically?to?non-flash?EEPROM?which?is?erasable?in?small?blocks,?typically?bytes.

FLASH也是EEPROM技術(shù)的一種

只不過上面也說,一般稱的"EEPROM",是指不包含F(xiàn)LASH的其它EEPROM

所以FLASH?EEPROM也勉強算是一種正確的說法,特此更正我上面的說法

不過在WIKI百科里查Flash_EEPROM這個名詞,也是Redirect到Flash_memory來的

所以那種名詞才是最適當(dāng)?shù)恼f法,網(wǎng)友們可以自行判斷


撇開這些名詞上的問題,我還是認(rèn)為那位總工說的沒錯,很多小MCU內(nèi)部都是用EEPROM來存程序的

雖然數(shù)據(jù)手冊上寫的是FLASH,但是實際上芯片內(nèi)部是用EEPROM來仿真成FLASH的

還有,從現(xiàn)在還能買到的主流FLASH芯片容量都在512K位(64K字節(jié))以上,而EEPROM可以買到1K的24C01

就更能證明小容量的MCU用EEPROM來仿真FLASH的說法是對的