這段時(shí)間在弄一個(gè)PWM調(diào)光，頻率接近4K赫茲。有幾個(gè)問(wèn)題，希望大家能給點(diǎn)意見(jiàn)。

1.目前搭建的電路如圖一，header處是外接多根LED燈管的。不知整個(gè)電路這樣接有沒(méi)有問(wèn)題。后面兩個(gè)問(wèn)題的電路都是基于這個(gè)電路的。

2.按照這個(gè)方法搭建電路，發(fā)現(xiàn)如果仔細(xì)看，有些微閃爍。所以想著在回路中串電感，不知這樣怎樣（圖二）；

   另外關(guān)于電感的數(shù)值，是不是比較隨意？

3.電路中我是用的光耦是4N25，查資料的時(shí)候，說(shuō)導(dǎo)通和截止的速度典型值為2us。

  但用示波器測(cè)量，發(fā)現(xiàn)開(kāi)啟時(shí)速度是很快，波形很陡，而關(guān)斷則很慢，目測(cè)200us左右。

  這和datasheet的差距很大，會(huì)不會(huì)是買(mǎi)到假貨？（輸入回路已測(cè)是沒(méi)問(wèn)題的）

4.電路中使用的MOS管是IRF540N，完全導(dǎo)通狀態(tài)下rDS(ON)典型值0.033歐。

  測(cè)試環(huán)境：不使用PWM，Vgs電壓一直13V，完全導(dǎo)通。電流2.1安

  測(cè)量比較第一批中的兩個(gè)，推得rDS 0.05歐，只比典型值大一點(diǎn)點(diǎn)，不加散熱片也只是一點(diǎn)溫溫的，不錯(cuò)。

  然后測(cè)量第二批的幾個(gè)，同樣的電路（就是把第一批的位置直接換上第二批的），發(fā)現(xiàn)燙的厲害.

  已測(cè)發(fā)現(xiàn)rDS有1歐，這批貨是不是有問(wèn)題。

5.問(wèn)題4中的第一批MOS管在2.1A的情況下（MOS管兩端電壓0.11V）發(fā)熱很低，

  但當(dāng)流過(guò)電流提高到4.2A時(shí)（兩端電壓0.22V）卻變得燙手，功率加多3倍為何熱量就多了那么多。

  沒(méi)接電路之前還以為極限電流23A的話，不超過(guò)5A可以不加散熱的。

  本人小白，還請(qǐng)各位不惜賜教。