典型的PMOS高端驅(qū)動(dòng)電路，唯一的壞處就是PMOS有導(dǎo)通壓降。

這個(gè)電路沒有問題，PMOS也沒有接反，加上負(fù)載，應(yīng)該可以實(shí)現(xiàn)功能。

這個(gè)電路基本上是沒問題的，但要注意四點(diǎn)特殊情況：
1、電池電壓和供電電壓不能太高，比如超過20V，那樣MOS管的柵極受不了。
2、電池電壓和供電電壓不能太低，否則PMOS管導(dǎo)通不了，或者處于半導(dǎo)通的狀態(tài)，損耗很大。
3、Vcc-IN的電壓不能低于Vcc-BAT 0.6V或以下，否則Q1導(dǎo)通后，Q2由于寄生二極管仍然導(dǎo)通，會(huì)形成電池對(duì)電源放電，同時(shí)負(fù)載仍然由電池提供。
4、也同樣由于上述原因，希望Vcc-IN上電速度要快，否則過渡過程會(huì)讓電池放電，而且電流會(huì)很大。

另外，5樓擔(dān)心的PMOS管有壓降的問題，一般不是問題，選擇適當(dāng)?shù)腜MOS管壓降會(huì)非常小。

PMOS管放反了吧，應(yīng)該是S極作輸入端，D極作輸出端，另外12樓的第三點(diǎn)分析有問題，應(yīng)該是“Vcc-IN的電壓不能低于Vcc-BAT 3V或以下”，否則Q2就直接導(dǎo)通，對(duì)電源放電。

11樓提的Q3的作用應(yīng)該是：防止電池工作時(shí)通過Q1的寄生二極管對(duì)電源放電，或者電源工作時(shí)通過Q2的寄生二極管對(duì)電池放電，直接通過Q3的寄生二極管和R1進(jìn)行放電。