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檢測電路高頻電路

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
提問者:cKin_g 地點:- 瀏覽次數(shù):10315 提問時間:12-02 07:05
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bertvwang 12-06 07:55

10.高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器.gif


基本電路組成與“3_gn相同,第二差動級是輸出用的

功率MOSFET,2SJ77,電流密勒電路使用了2SK214。

雖然工作電流只有6mA,但是,因為電源電壓高達±sov,

晶體管會發(fā)熱,于是安裝了小型散熱片。

??? 輸出級栗用直接驅(qū)動方式,由于不經(jīng)射極輸出器緩沖,

驅(qū)動電路的負載就加重了,如果轉(zhuǎn)換速度需要提高,可在

Tri-*的允許損耗范圍內(nèi)盡量加大漏極倡置電流。

??? 功率MOSFET經(jīng)常產(chǎn)生高額振蕩,要抑制振蕩比較困

難,簡單的措施是在柵極(位置盡量靠近柵極)串聯(lián)電阻(★

標志的Ro,但這要犧牲一些高頻特性,Ra的阻值隨所用元

件而異,通常在50Q~500Q之間。

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