至今單片及混合功率lc幾乎都不能獲得滿意的高頻特性口如圖3—31所示電路是三洋厚

膜lC STK084G的應用圖，在ZOkHz以內，輸出功率50w，失真率僅為0.003%o

??? 電路主要部分已lC化，故外加零件以大電容量電容器為主。如圖3·32所示為STK084G

內部電路。輸入級由VT4及VT5組成的電流鏡像電路，把PNP差動放大輸出變換為單端輸

出，同時得到較大的增益。中間級處理大的振幅，也決定放大器轉換速率，所以應盡量以大

電流驅動，VT8組成的共基極電路消除米勒效應所導致的高頻特性惡化6

??? VT1與VT6為恒流源偏置電路，可以抑制電源變動造成的影響。VT7則為輸出三極管提

供偏置，消除基極與發(fā)射極之間電壓Vbf非線性過渡區(qū)，還有溫度補償的作用。