
描述
K9F1208是Samsung公司生產(chǎn)的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存儲器。該存儲器的工作電壓為2.7~3.6 V,內(nèi)部存儲結構為528字節(jié)×32頁×4 096塊,頁大小為528字節(jié),塊大小為(16 KB+512字節(jié));可實現(xiàn)程序自動擦寫、頁程序、塊擦除、智能的讀/寫和擦除操作,一次可以讀/寫或者擦除4頁或者塊的內(nèi)容,內(nèi)部有命令寄存器其中,命令寄存器用來確定外部設備對存儲器進行操作的類型;地址譯碼寄存器用于保存被訪問的地址并產(chǎn)生相應的譯碼選通信號。主設備通過8位I/O端口分時復用訪問器件命令、地址和數(shù)據(jù)寄存器,完成對芯片內(nèi)存儲器的訪問。
K9F1208電路圖
K9F1208 引腳圖
K9F1208 引腳圖
K9F1208 引腳圖
K9F1208 封裝圖
K9F1208 封裝圖
K9F1208 封裝圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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K9F1208U0B-JIB0 | SULLINS | CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.156 | 立即購買 |
K9F1208U0A-PIB000 | Toshiba | 立即購買 | |
K9F1208U0A-VIB000 | Toshiba | 立即購買 | |
K9F1208R0C-JIB0000 | Vishay Dale | 立即購買 | |
K9F1208U0C-JIB0000 | Vishay Dale | 立即購買 | |
K9F1208U0A-VIB0 | Littelfuse Inc. | 立即購買 |
標題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
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K9F1208U0M-YCB0, K9F1208U0M-YI | RAR | 333 | 點擊下載 |
k9f1208u0m pdf,k9f1208u0m data | RAR | 3333 | 點擊下載 |
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光電二極管陣列 型號:ZPDN-Z1208C-S005 ZPDN-Z1208C-S005 是一個由6個高靈敏度硅光電二極管安裝在PCB上組成 的陣列,該裝置與紅外發(fā)射二極管相匹配。
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7月15日下午2點,臺積電法說會正式開始。臺積電表示, 受全球?qū)χ悄苁謾C、筆記本電腦、 HPC、車用芯片等需求激增的推動,臺積電第二季度利潤增長11%。臺積電第二季度營收增長28%,達到創(chuàng)紀錄的132.9億美元。臺積電4-6月凈利潤從去年同期的1208億元增至1344億元(合48.1億美元)。
以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應
AiP8F1208 是一款 AD 型 8051 內(nèi)核 MCU,內(nèi)置 8KB Flash ROM、256B SRAM、256B Data EEPROM,內(nèi)部集成 T0/1、PWM、12bit ADC、WDT、UART。
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