
描述:
該AT45DB321是一個(gè)只有2.7伏,串行接口閃存適合于-系TEM重新編程。它的34603008位的存儲(chǔ)器被組織為8192頁528字節(jié)每個(gè)。除了在主存儲(chǔ)器中, AT45DB321還包含兩個(gè)每528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收而數(shù)據(jù)在主存儲(chǔ)器頁面進(jìn)行重新編程。
特點(diǎn):
1、單2.7V - 3.6V電源
2、串行接口架構(gòu)
3、頁編程操作
- 單周期重新編程(擦除和編程)
- 8192頁( 528字節(jié)/頁)主內(nèi)存
4、可選頁和塊擦除操作
5、兩個(gè)528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許數(shù)據(jù)的接收,同時(shí)重新編程
非易失性存儲(chǔ)器
6、內(nèi)部的計(jì)劃和控制的定時(shí)器
7、快速頁編程時(shí)間 - 7毫秒典型
8、120 μ?典型的頁面,以緩沖傳輸時(shí)間
9、低功耗
- 4毫安有效的讀電流典型
– 3μ一種CMOS待機(jī)電流典型
10、13 MHz的最大時(shí)鐘頻率
11、硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能
12、串行外設(shè)接口( SPI )兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容輸入和輸出
14、商用和工業(yè)溫度范圍
AT45DB321E-MWHF-T電路圖
AT45DB321E-MWHF-T 引腳圖
AT45DB321E-MWHF-T 引腳圖
AT45DB321E-MWHF-T 引腳圖
AT45DB321E-MWHF-T 封裝圖
AT45DB321E-MWHF-T 封裝圖
Flash存儲(chǔ)器按其接口可分為串行和并行兩大類。串行Flash存儲(chǔ)器大多采用I2C接口或SPI接口進(jìn)行讀寫;與并行Flash存儲(chǔ)器相比,所需引腳少、體積小、易于擴(kuò)展、與單片機(jī)或控制器連接簡(jiǎn)單、工作可靠,所以串行Flash存儲(chǔ)器越來越多...
本文給出的是用于大型光伏系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)電路,由于采用表面貼片工藝制作,整個(gè)電路板的寬度僅為18毫米,就像使用U盤一樣方便。
Texas Instruments SN74AVC1T45/SN74AVC1T45-Q1總線收發(fā)器是一款單位非反相總線收發(fā)器,使用兩個(gè)可配置的電源軌。SN74AVC1T45
SN74AVC1T45設(shè)計(jì)用于兩條數(shù)據(jù)總線之間的異步通信。方向控制(DIR)輸入的邏輯電平激活B端口輸出或A端口輸出。
合作伙伴! E5062A主要指標(biāo): E5062A頻率:300K-3G 歐姆 *T/R 或 S 參數(shù)綜合測(cè)試儀? *50 或 75 歐姆測(cè)試端口阻抗? *120 dB 的動(dòng)
本應(yīng)用筆記是關(guān)于如何布局Maxim T3/E3線路接口單元(LIU)網(wǎng)絡(luò)接口的指南。該指南以DS315x產(chǎn)品為例。本應(yīng)用筆記也適用于其他Maxim T3/E3產(chǎn)品。
) 放掉的電能ΔE=E1-E2=45-5=40(焦耳) 假設(shè)以恒定功率P瓦放電,放電時(shí)間t=E/P=40/P(秒 fqj
本應(yīng)用筆記提供了使用達(dá)拉斯半導(dǎo)體/Maxim通信產(chǎn)品T1/E1單芯片收發(fā)器(SCT)和T1/E1成幀器的小數(shù)T1和E1電路設(shè)計(jì)示例。
AD9764 | ADSP-21160N | AD5762R | ADG1313 |
AT93C66B-XHM-T | AD9230 | AD8023 | AD7303 |
ADA4430-1 | ADRF6655 | ADN8833 | AD7392 |
ADUM5202 | AMP03 | AD8331 | AD5232 |
ADG1439 | ADUM3470 | AD5447 | AD8134 |