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描述：
該AT45DB161是一個只有2.7伏，串行接口閃存適合于-系TEM重新編程。其17301504位存儲器組織為4096頁
528字節(jié)每個。除了在主存儲器中， AT45DB161還包含兩個每528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收
而數(shù)據(jù)在主存儲器頁面進行重新編程。
特點：
1、單2.7V - 3.6V電源
2、串行接口架構
3、頁編程操作
- 單周期重新編程（擦除和編程）
- 4096頁（ 528字節(jié)/頁）主內(nèi)存
4、可選頁和塊擦除操作
5、兩個528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許接收數(shù)據(jù)
而非易失性存儲器重新編程
6、內(nèi)部的計劃和控制的定時器
7、快速頁編程時間 - 7毫秒典型
8、120 μ?典型的頁面，以緩沖傳輸時間
9、低功耗
- 4毫安有效的讀電流典型
– 3μ一種CMOS待機電流典型
10、13 MHz的最大時鐘頻率
11、硬件數(shù)據(jù)保護功能
12、串行外設接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容輸入和輸出
14、商用和工業(yè)溫度范圍
AT45DB161E-MHF-T電路圖
AT45DB161E-MHF-T 引腳圖
AT45DB161E-MHF-T 引腳圖
AT45DB161E-MHF-T 引腳圖
AT45DB161E-MHF-T 引腳圖
AT45DB161E-MHF-T 封裝圖
AT45DB161E-MHF-T 封裝圖
AT45DB161E-MHF-T 封裝圖
AT45DB161E-MHF-T 封裝圖
因此，該Dataflash存儲容量大，讀寫速度快，抗干擾能力強，在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲數(shù)據(jù)的記錄儀設計方案。
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ADRF5048是一款非反射式SP4T開關，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。 該器件的工作頻率范圍為100 MHz至45 GHz，具有低于4.0 dB的插入損耗，以及高于35 dB的隔離性能
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2019年2月26日，I－PEX MHF 4L LK極細同軸線射頻連接器，設計有鎖扣功能，可防止公座脫離于焊接在PCB上的母座。在多次嵌合過程中，拔出力優(yōu)于不帶鎖扣的產(chǎn)品。
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| ADP1706 | ADA4522-4 | ADA4830-2 | ADS7806 |
| AD7292 | ADT7408 | ADF7030 | ADUM3441 |
| ADP3330 | AD7671 | ADM3077E | AD621 |
| ADA4841-2 | AD8376 | AD526 | AD8620 |
| ADA4304-4 | AD8300 | AD8279 | ad9122 |
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