
The STMicroelectronics STW82102B is an integrated down converter providing 8 dB of gain, 10.5 dB NF, and a very high input linearity by means of its passive mixer.
Embedding two wide band auto calibrating VCOs and an integer-N synthesizer, the STW82102B is suitable for both Rx and Tx requirements for cellular infrastructure equipment.
The integrated RF balun and internal matching permit direct 50 ohm single-ended interface to RF port. The IF output is suitable for driving 200-ohm impedance filters.
By embedding a DAC with dual current output to drive an external PIN diode attenuator, the STW82102B replaces several costly discrete components and offers a significant footprint reduction.
The STW82102B device is designed with STMicroelectronics advanced 0.35 μm SiGe process. Its performance is specified over a -40 °C to +85 °C temperature range.
意法半導(dǎo)體的stw82102b是一個(gè)集成的下變頻器提供的增益8 dB,10.5 dB NF,并通過(guò)其無(wú)源混頻器的輸入線性度很高。
嵌入兩寬帶自動(dòng)校準(zhǔn)振蕩器和一個(gè)整數(shù)N合成器的stw82102b適用于RX和TX要求蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備。
集成RF巴倫和內(nèi)部匹配允許直接50歐姆單端接口的射頻端口。如果輸出是適用于驅(qū)動(dòng)200歐姆阻抗濾波器。
通過(guò)嵌入一個(gè)DAC雙電流輸出驅(qū)動(dòng)外部PIN二極管衰減器,其stw82102b取代一些昂貴的分立元件,提供了一個(gè)重大的減排。
的stw82102b裝置設(shè)計(jì)與意法半導(dǎo)體先進(jìn)的0.35μm SiGe工藝。其性能在40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)。
High linearity:
IIP3: +25.5 dBm
2FRF-2FLO spurious rejection: 85 dBc
Noise figure:
NF: 10.5 dB
Conversion gain
CG: 8 dB
RF range: 1425 MHz to 1910 MHz
Wide IF amplifier frequency range: 70 MHz to 400 MHz
Integrated RF balun with internal matching
Dual differential integrated VCOs with automatic center frequency calibration:
LOA: 1500 to 1800 MHz
LOB: 1900 to 2200 MHz
Embedded integer-N synthesizer
Dual modulus programmable prescaler (16/17 or 19/20)
Programmable reference frequency divider (10 bits)
Adjustable charge pump current
Digital lock detector
Excellent integrated phase noise
Fast lock time: 150 μs
Integrated DAC with dual current output
Supply: 3.3 V and 5 V analog, 3.3 V Digital
Dual digital bus interface: SPI and I2C bus (fast mode) with 3 bit programmable address (1101A2A1A0)
Process: 0.35 μm BICMOS SiGe
Operating temperature range -40 to +85oC
44-lead exposed pad VFQFPN package 7x7x1.0 mm
Applications
Cellular infrastructure equipment:
Other wireless communication systems.
主要特點(diǎn)
高線性度:
:25.5 dBm的IIP3
2frf-2flo雜散抑制:85 dBc
噪聲系數(shù):
核因子:10.5分貝
轉(zhuǎn)換增益
答:8分貝
射頻范圍:1425兆赫至1910兆赫
寬中頻放大器的頻率范圍:70兆赫至400兆赫
內(nèi)部匹配的集成RF巴倫
自動(dòng)校準(zhǔn)雙差的集成VCO的中心頻率:
羅亞:1500至1800兆赫
高球:1900至2200兆赫
嵌入式數(shù)字頻率合成器
雙模量可編程分頻器(16 / 17或19 / 20)
可編程參考分頻器(10位)
可調(diào)電荷泵電流
數(shù)字鎖相檢測(cè)器
良好的綜合相位噪聲
快速鎖定時(shí)間:150
雙電流輸出DAC集成
供應(yīng):3.3伏和5伏模擬,3.3伏數(shù)字
雙數(shù)字總線接口:SPI和I2C總線(快速模式)與3位可編程的地址(1101a2a1a0)
方法:0.35μm BiCMOS SiG
工作溫度范圍40到85oC
44鉛接觸墊vfqfpn包7x7x1.0毫米
應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備:中頻采樣receiversdigital功放線性化環(huán)路
其他無(wú)線通信系統(tǒng)。
STW82102B電路圖
STW82102B 引腳圖
STW82102B 封裝圖
STW82102B 封裝圖
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