
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二極管是一種超高性能的功率肖特基二極管。它是使用碳化硅襯底制造的。寬禁帶材料允許的肖特基二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與600伏的評(píng)級(jí)。由于肖特基結(jié)構(gòu)沒(méi)有恢復(fù)是在關(guān)斷和鈴聲模式顯示可以忽略不計(jì)。最小的電容關(guān)斷行為是獨(dú)立的溫度。
ST SiC二極管將促進(jìn)在硬開(kāi)關(guān)條件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function
主要特點(diǎn)
沒(méi)有或可以忽略不計(jì)的反向恢復(fù)
溫度開(kāi)關(guān)行為
在PFC升壓二極管功能特別適合
STPSC806電路圖
STPSC806 引腳圖
STPSC806 封裝圖
STPSC806 封裝圖
模塊峰值電流表進(jìn)行知悉,供PCB Layout時(shí)評(píng)估線(xiàn)寬作用,如下表值得注意的是,不能簡(jiǎn)單的全部加起來(lái)算成SOC的峰值電流,要評(píng)估散熱方案,根據(jù)實(shí)際場(chǎng)景的工作平均電流進(jìn)行,表格參數(shù)值僅供參考。 本篇內(nèi)容以RK806電源方案的PCB設(shè)計(jì)
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STPS60H100C | SSM6322 | STK681-332-E | SSM2166 |
SST26VF064B | STTH2002C | STPS1045FD | STTH1L06 |
STK551U392A-E | STTH6003 | STPS4045C-Y | STPS60L30C-Y |
SSC7150 | SSM2211 | SDC1741 | STTH200L06TV |
SS9018 | STTH802C | STTH240F04 | SN55LBC173-HIREL |