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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二極管是一種超高性能的功率肖特基二極管。它是使用碳化硅襯底制造的。寬禁帶材料允許的肖特基二極管結構的設計與600伏的評級。由于肖特基結構沒有恢復是在關斷和鈴聲模式顯示可以忽略不計。最小的電容關斷行為是獨立的溫度。
ST SiC二極管將促進在硬開關條件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function
主要特點
沒有或可以忽略不計的反向恢復
溫度開關行為
在PFC升壓二極管功能特別適合
STPSC2006CW電路圖
STPSC2006CW 引腳圖
STPSC2006CW 封裝圖
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| SSM2537 | SST49LF080A | STK672-442AN-E | STPS40150C |
| STPS15H100C | STPS3170 | STK541UC60C-E | S9013 |
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