REF3325-DIE

制造商：TI

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應(yīng)用案例更多案例

• AMD三代EPYC霄龍?zhí)幚砥鲀?nèi)部將集成最多15個(gè)Die 比現(xiàn)在多出6個(gè)

  AMD不久前剛剛發(fā)布了代號(hào)Rome（羅馬）第二代EPYC霄龍?zhí)幚砥鳎瑩碛?nm工藝和Zen 2架構(gòu)，而且采用了chiplet小芯片設(shè)計(jì)，集成最多八個(gè)CPU Die和一個(gè)IO Die設(shè)計(jì)非常獨(dú)特。

  2019-09-06
• 替換REF3012，國產(chǎn)電壓基準(zhǔn)源廣泛用于工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用

  替換REF3012，國產(chǎn)電壓基準(zhǔn)源廣泛用于工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用

  2024-08-29
• Multi-Die系統(tǒng)設(shè)計(jì)里程碑：UCIe PHY IP在臺(tái)積公司N3E工藝上成功流片

  Express （UCIe） PHY IP流片。UCIe IP是Multi-Die系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵組成部分，它使開發(fā)者能夠在封裝中實(shí)現(xiàn)安全和魯棒的Die-to-Die連接，并提供高帶寬、低功耗和低延遲

  2023-05-25
• 說說wafer、die、cell這幾個(gè)專業(yè)名詞

  晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來越小，加工及測(cè)量設(shè)備越來越先進(jìn)，使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。

  2021-03-12
• REF54EVM高精度電壓參考評(píng)估模塊技術(shù)解析

  Texas Instruments REF54EVM評(píng)估模塊演示REF54高精度參考器件的性能。REF54系列在 260 μA 電流下提供 0.5ppm/ °C低溫漂移系數(shù)和 ± 0.02%高精度

  2025-08-07
• Multi-Die系統(tǒng)驗(yàn)證很難嗎？Multi-Die系統(tǒng)驗(yàn)證的三大挑戰(zhàn)

  在當(dāng)今時(shí)代，摩爾定律帶來的收益正在不斷放緩，而Multi-Die系統(tǒng)提供了一種途徑，通過在單個(gè)封裝中集成多個(gè)異構(gòu)裸片（小芯片），能夠?yàn)橛?jì)算密集型應(yīng)用降低功耗并提高性能。

  2023-12-13
• 羅姆與芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計(jì)“REF66004”

  全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計(jì)“REF66004”。

  2024-04-03
• 瑞薩開發(fā)板?RX-FSOE-REF-KIT功能安全使用介紹（上）

  本文基于瑞薩官方開發(fā)板RX-FSOE-REF-KIT，介紹EtherCAT通訊的功能安全應(yīng)用開發(fā)以及實(shí)現(xiàn)過程所需的開發(fā)環(huán)境。

  2024-08-20

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