QSD2030F

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• CES 2010: 中端Android新兵 300W導(dǎo)航LG

  CES 2010: 中端Android新兵 300W導(dǎo)航LG GT540現(xiàn)身 高通宣布，正與惠普公司合作設(shè)計(jì)一款基于Android的智能本終端。該設(shè)計(jì)使用高通公司Snapdragon™ QSD8250™ 芯片，集成了處

  2010-01-19
• 高通與惠普展示全球首款A(yù)ndroid系統(tǒng)的智能本

  高通與惠普展示全球首款A(yù)ndroid系統(tǒng)的智能本 　高通公司與惠普公司合作設(shè)計(jì)一款基于Android的智能本終端，該設(shè)計(jì)使用高通公司Snapdragon  QSD8250  芯片，集成了處

  2010-01-09
• 高通28nm制程：基于ARM Cortex-A9的Snapdragon MSM8960

  1.5GHz的Snapdragon QSD8672已經(jīng)讓你感到興奮了嗎？那接下來(lái)這顆基于ARM Cortex-A9變形的Scorpio雙核架構(gòu)的Snapdragon MSM8960，應(yīng)該會(huì)讓你更驚艷！據(jù)高通聲稱(chēng)，這顆采用28nm制程的第三世代Snapdrago

  2012-09-04
• 法國(guó)“電子2030”計(jì)劃在意法半導(dǎo)體Crolles工廠舉辦

  法國(guó)“電子 2030”計(jì)劃（Electronique 2030）啟動(dòng)儀式在意法半導(dǎo)體法國(guó)Crolles研發(fā)制造一體化工廠舉辦。該項(xiàng)目是 “法國(guó)2030”投資計(jì)劃中的一部分，旨在保持法國(guó)電子工業(yè)的領(lǐng)先地位，應(yīng)對(duì)從上游研究到下游應(yīng)用、以及整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)前和未來(lái)面臨的挑戰(zhàn)。

  2022-07-19
• 什么是tSD/qSD？CS創(chuàng)世 SD NAND到底是什么？

  tSD和qSD的架構(gòu)是控制器+TLC NAND Flash晶圓，當(dāng)初是為了用戶(hù)更快的享受到TLC NAND晶圓的價(jià)格紅利（8年前）。 tSD和qSD的封裝形式有 BGA和TSOP兩種，那個(gè)時(shí)候也有人稱(chēng)之為T(mén)SOP/BAG封裝的SD卡/TF卡。 tSD和qSD的主流容量是8GB和16GB。

  2022-07-07
• 一文知道TDA2030和TDA2030A的區(qū)別是什么

  TDA2030和TDA2030A是兩款常用的大功率功放集成塊，由于具有外圍電路簡(jiǎn)單，輸出功率大，失真小等優(yōu)點(diǎn)，它們?cè)谝郧暗母弑Ｕ嬉繇懼杏玫暮軓V。

  2020-10-31
• Holtek小封裝MCU系列推出HT66F2030

  Holtek小封裝Flash MCU系列新增HT66F2030產(chǎn)品，特點(diǎn)為1.8V~5.5V寬工作電壓范圍、具快速啟動(dòng)功能、內(nèi)建高精準(zhǔn)度振蕩器、精準(zhǔn)的ADC參考電壓、及提供小體積的QFN封裝。

  2020-09-27
• TDA2030音頻功率放大電路的制作,TDA2030 amplifier

  TDA2030音頻功率放大電路的制作,TDA2030 amplifier 關(guān)鍵字：TDA2030,功放

  2018-09-21

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