
制造商:ON
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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NTMFS6H818NT1G | - | - | 立即購買 |
標(biāo)題 | 類型 | 大小(KB) | 下載 |
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DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL) | 29 | 點(diǎn)擊下載 | |
Power MOSFET | 82 | 點(diǎn)擊下載 |
GNSS全模定位導(dǎo)航模塊 ATGH336H-6N74 衛(wèi)星系統(tǒng)GPS+QZSS+BD2+BD3+ GAL+GLO 衛(wèi)星頻點(diǎn)L1+B1I+B1C+E1+R1 波特率115200bps
據(jù)索尼官方消息,索尼正式發(fā)布h.ear時(shí)尚系列新品耳機(jī),共有無線降噪耳機(jī)WH-H910N,無線高解析度耳機(jī)WH-H810以及真無線耳機(jī)WF-H800三款產(chǎn)品。
6N1+6P1膽機(jī)功放電路,6N1+6P1 Amplifier 關(guān)鍵字:6N1,6P1,功放電路圖 ??? 膽機(jī)采用6N1管組成SRPP推
所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路,它由 2 個(gè) P 型場效應(yīng)管 Q1、Q2 與 2 個(gè) N 型場效應(yīng)管 Q3、Q3 組成,所以它叫 P-NMOS 管 H 橋。
N9H20K11N系列采用ARM926EJ-S核心,執(zhí)行速度高達(dá)200 MHz,堆疊2 MB SDRAM記憶體於同一封裝,提供128-pin,大幅減少PCB尺寸和降低電磁干擾 (EMI)。豐富的周邊
N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心,執(zhí)行速度高達(dá)264 MHz,堆疊或32 MB SDRAM記憶體于同一封裝,提供128-pin,大幅減少PCB尺寸和降低電磁干擾 (EMI)。豐富
隨著科技的發(fā)展,近年來穿戴設(shè)備逐漸成為一種產(chǎn)品領(lǐng)域。而手環(huán)和手表的形式因?yàn)樽顬榻咏藗兊拇┐髁?xí)慣,操控也更加便利成為最常見的表現(xiàn)形式。手環(huán)和手表相比兩者相比,手表具有更具體多樣的表現(xiàn)空間,相對大的屏幕...
對于有智能手表的用戶來說,可能在佩戴原有智能手環(huán)的幾率會小很多,但這并非實(shí)說智能手環(huán)已經(jīng)完全被拋棄,仍有其適用的場景,比如戶外運(yùn)動(dòng)健身時(shí),相比于個(gè)頭偏大的智能手表,智能手環(huán)在體積和重量上更適合佩戴,在...
NCP1077 | NCS2005 | NE592 | NCS2584 |
NC7SV157 | NCP1615 | NV25020 | NCP4353 |
NCV809 | NC7SZ157 | NB3N401S | NLHV3157N |
NCV7424 | NCV47722 | NCV8401B | NCP4300A |
NUF2450 | NB3U23C | NTNS41006PZ | NLSV4T3234 |