NJL0302D

制造商：ON

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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技術(shù)資料

應(yīng)用案例更多案例

• 什么是3D NAND閃存？

  我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

  2023-03-30
• 3D 封裝與 3D 集成有何區(qū)別？

  3D 封裝與 3D 集成有何區(qū)別？

  2023-12-05
• 為什么選擇3D，3D芯片設(shè)計要點分析

  然已經(jīng)有很多關(guān)于 3D 設(shè)計的討論，但對于 3D 的含義有多種解釋。然而，這不僅僅是語義，因為每個封裝選項都需要不同的設(shè)計方法和技術(shù)。

  2023-03-27
• 空開斷路器規(guī)格型號D和C的區(qū)別

  D型和C型是空開斷路器的兩種常見規(guī)格型號，它們主要區(qū)別在于其額定電流和短路保護特性。

  2024-01-10
• FPC彎曲半徑不合理為什么會導(dǎo)致斷裂呢？

  在FPC在彎曲時，其中心線兩邊所受的應(yīng)力類型是不一樣的。彎曲曲面的內(nèi)側(cè)是壓力，外側(cè)是拉力。

  2024-01-10
• 高壓MOS在適配器產(chǎn)品上的應(yīng)用

  在適配器產(chǎn)品上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體平面高壓MOS系列，對標(biāo)國內(nèi)四大MOS品牌系列產(chǎn)品，滿足不同功率適配器的應(yīng)用

  2024-01-10
• 速騰聚創(chuàng)發(fā)布超長距激光雷達產(chǎn)品M3

  在 CES 2024 的首日活動中，速騰聚創(chuàng)發(fā)布了其最新研發(fā)的超長距激光雷達產(chǎn)品 M3，這款產(chǎn)品專為 L3+ 智能駕駛的前裝量產(chǎn)設(shè)計。

  2024-01-10
• 電池虛電如何解決？手機鋰電池“虛電”現(xiàn)象是什么？

  電池虛電如何解決？手機鋰電池“虛電”現(xiàn)象是什么？ 電池虛電是指手機或其他電子設(shè)備的電池電量耗盡，無法正常供電工作的狀態(tài)。虛電通常是由于長時間未充電或者使用過度導(dǎo)致的。在這篇文章中，我們將詳細(xì)介紹手機鋰電池虛電現(xiàn)象及其解決方法。 一、手機鋰電池“虛電”現(xiàn)象是什么？ 鋰電池是目前手機或其他電子設(shè)備中最常用的電池類型之一，其具有高能量密度、輕量化等優(yōu)點，但也存在電池容量有限的問題。長時間使用手機或者未及時充電

  2024-01-10

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