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    首頁產(chǎn)品索引N01S830

    N01S830

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    ?Serial SRAM Memory, 1 Mb, Ultra-Low-Power, 2.5 to 5.5 V

    制造商：ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    The ON Semiconductor serial SRAM family includes severalintegrated memory devices including this 1 Mb serially accessedStatic Random Access Memory, internally organized as 128 K wordsby 8 bits. The devices are designed and fabricated usingON Semiconductor’s advanced CMOS technology to provide bothhigh-speed performance and low power. The devices operate with asingle chip select (CS) input and use a simple Serial PeripheralInterface (SPI) protocol. In SPI mode, a single data-in (SI) anddata-out (SO) line is used along with the clock (SCK) to access datawithin the device. In DUAL mode, two multiplexed data-in/data-out(SIO0-SIO1) lines are used and in QUAD mode, four multiplexeddata-in/data-out (SIO0-SIO3) lines are used with the clock to accessthe memory. The devices can operate over a wide temperature range of?40°C to +85°C and are available in a 8-lead TSSOP package. TheN01S830xA device has two different variations, a HOLD version thatallows communication to the device to be paused and a batteryback-up (BBU) version to be used with a battery to retain data whenpower is lost.
    • 2.5 to 5.5 V
    • - Single-bit SPI Access - DUAL-bit and QUAD-bit SPI-like Access
    • - Word Mode- Page Mode - Burst Mode (Full Array)
    • - Clock Frequency 20 MHz
    • - HOLD Pin for Pausing Operation
    • - VBAT Pin for Battery?Back up
    • Built-in Write Protection (CS High)
    • - Unlimited Write Cycles

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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    型號制造商描述購買
    N01S830HAT22ITON安森美半導體串行 SRAM 系列包括多款集成存儲器件，其中就包括這款 1 Mb 串行訪問的靜態(tài)隨機訪問存儲器，內(nèi)部組織為 128 K 個詞，每個詞 8 位。此類器件采用安森美半導體先進的 CMOS 技術(shù)設計和制造，具有高速和低功耗性能。此類器件通過一個單芯片選擇 (CS) 輸入運行，并使用一個簡單的串行外圍接口 (SPI) 協(xié)議。在 SPI 模式中，單個數(shù)據(jù)輸入 (SI) 和數(shù)據(jù)輸出 (SO) 行與時鐘 (SCK) 一起用于訪問器件中的數(shù)據(jù)。在雙模式下，使用兩個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO3) 行來訪問存儲器。此類器件可在 ?40°C 至 +85°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行，采用 8 引線 TSSOP 封裝。N01S830xA 器件有兩個不同的版本，HOLD 版本允許暫停與器件的通信，而電池備份 (BBU) 版本配備一個電池，用于在斷電時保留數(shù)據(jù)。 立即購買
    N01S830HAT22ION安森美半導體串行 SRAM 系列包括多款集成存儲器件，其中就包括這款 1 Mb 串行訪問的靜態(tài)隨機訪問存儲器，內(nèi)部組織為 128 K 個詞，每個詞 8 位。此類器件采用安森美半導體先進的 CMOS 技術(shù)設計和制造，具有高速和低功耗性能。此類器件通過一個單芯片選擇 (CS) 輸入運行，并使用一個簡單的串行外圍接口 (SPI) 協(xié)議。在 SPI 模式中，單個數(shù)據(jù)輸入 (SI) 和數(shù)據(jù)輸出 (SO) 行與時鐘 (SCK) 一起用于訪問器件中的數(shù)據(jù)。在雙模式下，使用兩個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO3) 行來訪問存儲器。此類器件可在 ?40°C 至 +85°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行，采用 8 引線 TSSOP 封裝。N01S830xA 器件有兩個不同的版本，HOLD 版本允許暫停與器件的通信，而電池備份 (BBU) 版本配備一個電池，用于在斷電時保留數(shù)據(jù)。 立即購買
    N01S830BAT22ION安森美半導體串行 SRAM 系列包括多款集成存儲器件，其中就包括這款 1 Mb 串行訪問的靜態(tài)隨機訪問存儲器，內(nèi)部組織為 128 K 個詞，每個詞 8 位。此類器件采用安森美半導體先進的 CMOS 技術(shù)設計和制造，具有高速和低功耗性能。此類器件通過一個單芯片選擇 (CS) 輸入運行，并使用一個簡單的串行外圍接口 (SPI) 協(xié)議。在 SPI 模式中，單個數(shù)據(jù)輸入 (SI) 和數(shù)據(jù)輸出 (SO) 行與時鐘 (SCK) 一起用于訪問器件中的數(shù)據(jù)。在雙模式下，使用兩個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四個多路復用數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出 (SIO0-SIO3) 行來訪問存儲器。此類器件可在 ?40°C 至 +85°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行，采用 8 引線 TSSOP 封裝。N01S830xA 器件有兩個不同的版本，HOLD 版本允許暫停與器件的通信，而電池備份 (BBU) 版本配備一個電池，用于在斷電時保留數(shù)據(jù)。 立即購買
    N01S830HAT22ET-- 立即購買
    N01S830HAT22E-- 立即購買
    N01S830BAT22IT-- 立即購買

    技術(shù)資料

    標題類型大?。↘B）下載
    TSSOP8 3x4.4 / TSSOP8(225mil)PDF49 點擊下載
    1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAMPDF93 點擊下載
    Serial SRAM Application DrawingUNKNOW19 點擊下載
    TSSOP8 4.4x3.0PDF33 點擊下載

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    NC7SZ157NCP1207BNJL3281DNCP4306
    NCN8026NCL30030NCP1081NCP51402
    NC7SP38NCP330NCP1361NVTFS6H850N
    NCP334NCP5339NCV1413NCV8877
    NCP1653NCP1070NCV47822NCP1014
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