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制造商：ON
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| MCT2ESR2VM | - | - | 立即購買 |
| MCT2EM | - | - | 立即購買 |
| MCT2ESM | - | - | 立即購買 |
| 標題 | 類型 | 大?。↘B） | 下載 |
|---|---|---|---|
| PDIP6 8.51x6.35, 2.54P | 63 | 點擊下載 | |
| PDIP6 8.51x6.35, 2.54P | 65 | 點擊下載 | |
| MCT2EM, TIL111M, TIL117M 6-Pin General Purpose Phototransistor Optocouplers | 177 | 點擊下載 | |
| Optocoupler Input Drive Circuits | 252 | 點擊下載 | |
| NEMKO:P13216649 | 219 | 點擊下載 | |
| VDE:102497 | 680 | 點擊下載 | |
| UL:E90700_2 | 1257 | 點擊下載 | |
| CQC:14001116480 | 188 | 點擊下載 |
EM5020前置射頻放大器配合本公司EM5030近場探頭使用，主要對所要測試的微弱信號進行放大， 頻率范圍9kHz-3GHz;EM5020A增益約為20dB，EM5020B增益約30dB,可以
是30MHz-3GHz，共4種探頭形狀；EM5030LF的頻率范圍是9kHz-50MHz，共3種探頭形狀。 EM5030E系列探頭組包含了2個專門用來測試電場(E)的探頭，覆蓋頻率范圍為30 MHz到3
MCT1247是24位高精度ADC，該芯片不僅集成了低噪聲PGA、單循環(huán)數(shù)字濾波器、高精度Δ-Σ AD轉(zhuǎn)換器和內(nèi)部振蕩器等模塊，還提供了內(nèi)置低漂移基準電壓以及兩個匹配的可編程激勵電流源(IDAC)。
電遷移簡寫為EM，electromigration，這是一種很基本的電學現(xiàn)象，可能在電路課上講的少，反而物理課上會聽過。
在儲能系統(tǒng)應用中，通過4G上云是非?；A和常見的應用需求，由于業(yè)務和場景的多樣性，4G模塊也多種多樣，本文將詳細介紹如何在EM儲能網(wǎng)關中玩轉(zhuǎn)4G模塊。移植準備1.硬件選擇本文以EM系列
高精度24bit ADC-MCT1248
晶體很難均勻生長，探測器的光敏面以及不同芯片之間D*通常會發(fā)生變化，晶體生長困難增加了探測器成本；2、探測器制冷增加了尺寸和運行功耗；3、MCT含有重金屬元素汞，不符合RoHS標準。 InAsSb探測器的出現(xiàn)就可以很好地解決以上問題。接下來我們通過展示與
EM9280是英創(chuàng)公司推出的一款以多串口為特色的嵌入式工控主板，預裝正版WinCE6.0/Linux-3.9.7操作系統(tǒng)，直接支持彩色TFT LCD顯示和4線電阻觸摸屏，最高分辨率可達1024
| MCP73113 | MJE802 | MP1584EN-LF-Z | MBR1045 |
| MIC2126 | MC33364 | MC10EP51 | MC33262 |
| MIC5019 | MC14559B | MC10H101 | MCP14A0601 |
| MC10ELT21 | MM74HC573 | MIC2182 | MMBF4092 |
| MJ11022 | MIC4605 | MC74HC1G00 | MCP111 |
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