
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點(diǎn)
寬動態(tài)范圍: 高達(dá)54 dB
高精度: ±1 dB (54 dB)范圍高達(dá)2.7 GHz
快速輸出響應(yīng)時(shí)間
電源電壓: +2.7至+5.5V
省電模式
出色的溫度穩(wěn)定性
16引腳3x3 mm SMT封裝: 9mm2
產(chǎn)品詳情
HMC713LP3E對數(shù)檢波器/控制器非常適合將RF信號(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內(nèi))的功率在輸出端轉(zhuǎn)換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續(xù)壓縮技術(shù),可在寬輸入頻率范圍內(nèi)提供具有高測量精度的54 dB動態(tài)范圍。 隨著輸入信號增加,連續(xù)放大器逐漸進(jìn)入飽和,從而生成精確的對數(shù)函數(shù)近似值。 一系列檢波器輸出求和、轉(zhuǎn)換成電壓域并緩沖驅(qū)動OUTP輸出。
在檢測模式下,OUTP引腳連接到VSET輸入,提供17 mV/dB標(biāo)稱對數(shù)斜率和-68 dBm截距。 HMC713LP3E也可以在控制器模式下使用,在該模式下向VSET引腳施加外部電壓以實(shí)現(xiàn)AGC或APC反饋環(huán)路。
應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
WiMAX, WiBro和amp; LTE/4G
電源監(jiān)控和控制電路
接收機(jī)信號強(qiáng)度指示(RSSI)
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
自動增益和功率控制
軍事、ECM和雷達(dá)
HMC713LP3E電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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HMC713LP3ETR | - | - | 立即購買 |
HMC713LP3E | - | - | 立即購買 |
HMC713LP3E對數(shù)檢波器/控制器非常適合將RF信號(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內(nèi))的功率在輸出端轉(zhuǎn)換為與輸入功率成正比的直流電壓。
該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信號增益,1.8 dB的噪聲系數(shù),28 dBm的輸出IP3,采用3.5 V電源時(shí)功耗僅為80 mA。
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器,可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 它可用于為A級區(qū)(漏極電壓為4V至12V,漏極電流最大為200mA)的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置,提供了完整的偏置解決方案。
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA),提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm
HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),通過可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置,以降低IDQ
及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O,該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝,無需線焊,可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級聯(lián)50 Ohm
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為24至36 GHz,采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成,采用3 V
HMC636 | HMC573 | HMC1127 | HMC740 |
HMC405 | HMC311SC70 | HMC-C028 | HMC774ALC3B |
HMC-APH478 | HMC902-Die | HMC339 | HMC219B |
HMC1105 | HMC951B | HMC656-Die | HMC566LP4E |
HMC524A | HMC-APH633 | HMC654LP2E | HMC688 |