
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點(diǎn)
轉(zhuǎn)換增益:14 dB
鏡像抑制:25 dBc
輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3):-1 dBm
LO驅(qū)動(dòng)范圍:-3至+6 dBm
增益平坦度:± 1.5 dB
16引腳、5 mm × 5 mm陶瓷無鉛芯片
載體(LCC)封裝
產(chǎn)品詳情
HMC6789BLC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的鏡像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪聲放大器驅(qū)動(dòng)I/Q混頻器,其中LO由x2乘法器驅(qū)動(dòng)。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。HMC6789BLC5A為混合型單邊帶下變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造技術(shù)。
應(yīng)用
點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)無線電
軍用雷達(dá)、EW和ELINT
衛(wèi)星通信
傳感器
HMC6789B電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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HMC6789BLC5ATR-R5 | - | - | 立即購買 |
HMC6789BLC5ATR | - | - | 立即購買 |
HMC6789BLC5A | - | - | 立即購買 |
THMC732LC4B是一款寬帶GaAs InGaP HBT MMIC壓控振蕩器,集成諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管。 由于該振蕩器采用單芯片結(jié)構(gòu),因此在溫度范圍內(nèi)具有出色的輸出功率和相位噪聲性能。 Vtune端口支持0至+23V的模擬調(diào)諧電壓。
HMC7043是一種高性能時(shí)鐘緩沖器,用于為具有并行或串行(JESD204B型)接口的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器分配超低相位噪聲參考。
HMC553LC3B是一款通用雙平衡混頻器,采用無鉛RoHS兼容SMT封裝,可用作7至14 GHz之間的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用GaAs MESFET工藝制造,不需要外部組件或匹配電路。
HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體(LCC)中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。
HMC264LC3B是一款21-31 GHz次諧波泵浦(x2)MMIC混頻器,在無引線“無鉛”SMT封裝中帶有集成LO放大器。
HMC524ALC3B緊湊型砷化鎵(GaAs)、單片微波集成電路(MMIC),相位正交(I/Q)混頻器。符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛表面貼裝(SMT)陶瓷封裝。
該交換芯片由兩個(gè)負(fù)控電壓輸入 (VCTL = ?5 V / 0 V) 供電,無需另外電源,且不消耗電流。HMC347B 的 RFx 焊盤通過一條 3.0 mil × 0.5 mil 的最小號連接帶與 50 Ω 條傳輸線連接,可獲取所有電氣性能數(shù)據(jù)。
HMC-APH518是一款兩級GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器,工作頻率范圍為21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益,采用+5V電源電壓時(shí)具有+30.5 dBm輸出功率(1 dB壓縮)
HMC-C045 | HMC7885 | HMC260ALC3B | HMC-C029 |
HMC346ALC3B | HMC920 | HMC724 | HMC648A |
HMC385 | HMC1093 | HMC674LP3E | HMC824 |
HMC609-Die | HMC976 | HMC7441 | HMC515 |
HMC387 | HMC760 | HMC549 | HMC199A |