
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
增益: 14 dB
飽和功率: +20 dBm (20% PAE)
單電源電壓: +5V,提供可選的柵極偏置
50 Ω匹配輸入/輸出
16引腳3x3mm SMT封裝: mm2
產(chǎn)品詳情
HMC441LP3(E)是一款寬帶GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為6.5至13.5 GHz。 該無(wú)鉛塑料QFN表貼封裝放大器提供14 dB增益,飽和功率為+20 dBm(20% PAE時(shí)),電源電壓為+5V。 提供可選的柵極偏置,以便調(diào)節(jié)增益、RF輸出功率和直流功耗。 50 Ω匹配放大器無(wú)需任何外部元件,非常適合用作線性增益模塊或HMC SMT混頻器驅(qū)動(dòng)器。
應(yīng)用
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線電
VSAT?
HMC混頻器LO驅(qū)動(dòng)器
軍用EW和ECM
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA),提供可選偏置控制來(lái)降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm
HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置,以降低IDQ
及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O,該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝,無(wú)需線焊,可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。
Hittite推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E 近日,Hittite全新推出一款低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E。該產(chǎn)品采用QFN SMT封裝,非常緊湊的封裝在一個(gè)3*3mm芯
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級(jí)聯(lián)50 Ohm
Hittite寬動(dòng)態(tài)范圍的功率檢波器HMC860LP3E 日前,全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向?qū)拵А?G、Winmax、自動(dòng)化以及4G應(yīng)用領(lǐng)域推出了基于SiGe BiCMOS工藝的功率檢波器HMC71
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為24至36 GHz,采用無(wú)引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成,采用3 V
基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3E 和HMC905LP3E,非常適用于100MHz~15GHz 的測(cè)試儀器,實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)及各種軍事應(yīng)用的信號(hào)生成模塊。 HMC862LP3E 和HMC90
HMC733 | HMC858 | HMC952A | HMC337 |
HMC1060 | HMC291S | HV5622 | HMC466 |
HMC571LC5 | HMC1055 | HMC599 | HMC6545 |
HMC684 | HV57009 | HMC215 | HMC734 |
HMC7056 | HMC841 | HMC7282B | HMC974 |