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    首頁產(chǎn)品索引FQPF3N25

    FQPF3N25

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    ?N 溝道 QFET

    制造商:ON

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    產(chǎn)品信息

    這些 N 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的平面條形 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這一先進技術(shù)是專為最大限度地降低通態(tài)電阻,提供卓越的開關(guān)性能,以及在雪崩擊穿和換相情況下承受高能量脈沖而開發(fā)的。 這些器件非常適用于高效開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源應(yīng)用。
    • 2.3 A、250 V、R
    • = 2.2 Ω(最大值)@V
    • = 10 V、I
    • = 1.15 A
    • 低柵極電荷(典型值 4.0 nC)
    • 低 Crss(典型值 4.7 pF)
    • 100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

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    技術(shù)資料

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    TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FGPDF53 點擊下載
    FQPF3N25-D.pdfPDF895 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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    FSA2267AFJV3113RFAN6604FMS6143A
    FAN2512FAN53713FAN23SV70AMPXFNA41060
    FSL137MRINFOD2712AFAN49100FDMF6833C
    FFSP0665AFSA4157FGB7N60UNDFFSL306LR
    FPF2290FOD4216FAN6605FODM1008
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