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    FOD3184

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    ?輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器

    制造商:ON

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    產(chǎn)品信息

    FOD3184是輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器。 它由鋁砷化鎵(AlGaAs)發(fā)光二極管(LED)組成,該二極管與具有PMOS和NMOS輸出功率晶體管集成電路功率級的CMOS感測器進(jìn)行光耦合。 它非常適用于等離子顯示板(PDP)中使用的高頻驅(qū)動的功率MOSFETS/IGBT、電機(jī)控制逆變器以及高性能的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。
    該器件封裝在8引腳雙列直插式外殼內(nèi),兼容260°C回流焊接工藝,符合無鉛焊接的規(guī)定。
    • 具有35kV/μs共模抑制特點(diǎn)的高抗噪能力
    • 保證工作溫度范圍為-40°C至100°C
    • 為中等功率的MOSFET/IGBT提供最低3A的峰值輸出電流
    • 快速開關(guān)速度
    • 210ns(最大值) 傳播延遲
    • 65ns(最大值) 脈寬失真度
    • 快速輸出上升/下降時間
    • 提供較低的動態(tài)功耗
    • 250kHZ最大開關(guān)速度廣泛的V
    • CC
    • ,從15V至30V
    • 使用P溝道MOSFET作為輸出級可使輸出電壓擺幅接近供電軌(軌到軌輸出)
    • 帶滯后的欠壓閉鎖保護(hù)(UVLO) - 優(yōu)化用于驅(qū)動IGBT
    • 安全和法規(guī)認(rèn)證
    • 1分鐘UL1577,3,750 VAC
    • 最小爬電距離為8.0mm
    • IEC60747-5-2,1,414峰值工作絕緣電壓(待審批)
    • 最小絕緣厚度為0.5mm
    • 最小爬電距離8.0mm(選項T)

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    8 LEAD PDIPPDF34 點(diǎn)擊下載
    PDIP8 6.6x3.81, 2.54PPDF56 點(diǎn)擊下載
    PDIP8 GWPDF62 點(diǎn)擊下載
    PDIP8 GWPDF67 點(diǎn)擊下載
    FOD3184-D.pdfPDF1913 點(diǎn)擊下載
    UL:E90700_2PDF1257 點(diǎn)擊下載
    SC_CQC14001116479.pdfPDF181 點(diǎn)擊下載
    VDE:40018398PDF742 點(diǎn)擊下載

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