
制造商:ON
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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FGD3N60LSDTM-T | - | - | 立即購買 |
FGD3N60LSDTM | - | - | 立即購買 |
標題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
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DPAK3 (TO-252 3 LD) | 152 | 點擊下載 | |
IGBT | 886 | 點擊下載 | |
PSPICE | UNKNOW | 2 | 點擊下載 |
輸出負載的反極性保護-(LSD) 今天要談的東西有兩個,輸出負載的反極性保護,在前面已經(jīng)介紹過電源的反極性保護,鏈接如下:電源反接討論 負載,以燈
工程機械多年的工作生涯,使我遇到了很多技術(shù)工作者,談心談國內(nèi)技術(shù),談技術(shù)發(fā)展中國產(chǎn)材料對技術(shù)進步的影響,每年都有不同的公司寄給我實驗產(chǎn)品,有電子元件、有新材料、有控制主板、有單片機,當(dāng)然也有PLC,其中海...
項目要求能夠達到多種產(chǎn)品的兼容,多工藝的自由調(diào)節(jié),直焊、側(cè)焊、運動焊多種焊錫方式,并能存儲多個檔案。
UTC 4N60是一個高電壓MOSFET ,并設(shè)計成有更好的特性,如快速開關(guān)時間,低門電荷,低通態(tài)電阻,并具有高耐用雪崩的特點。這個功率MOSFET通常用在高速開關(guān)電源中的應(yīng)用, PWM馬達控制,高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。
3N261 3N263電壓波形電路圖
3N261 3N263光耦器電路圖
陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號為YGW60N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺TO247-3L封裝
揚杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,可以支持更高頻率與動態(tài)響應(yīng)。
FFSH20120ADN | F28M35M20B | FDLL4148 | FAN5701 |
FJV4102R | FAN8303 | FSQ0565RS | FSQ0465RS |
FGD3040G2_F085 | FSA266 | FDG6323L | FGB3245G2_F085 |
FPF1018 | FGH30T65UPDT | FSQ0370RLA | FL7730 |
FNF51060TD1 | FERD20U60 | FSEZ1016A | FNB34060T |