FDV303N

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?數字FET，N溝道

制造商：ON

中文數據手冊

產品信息

這些N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術生產。這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅動條件下的通態(tài)電阻而定制。該器件特別為使用一個鋰或三個鎘或NMH電池的電池電路應用設計。該器件可作為一個轉換器使用，或在緊湊型便攜電子設備，例如無線電話和傳呼器的高效微型分立DC/DC轉換中使用。該器件即使在柵極驅動電壓低至2.5V時仍具有出色的通態(tài)電阻。

? 25 V，0.68 A 連續(xù)電流，2 A 峰值。
R
= 0.45 Ω @ V
= 4.5 V
R
= 0.6 Ω @ V
= 2.7 V
? 柵極驅動電平要求極低，從而可在 3 V 電路中直接運行。 V
< 1.0 V。
? 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
? 緊湊型工業(yè)標準 SOT-23 表面貼裝封裝。
? TN0200T 和 TN0201T 的備選方案。

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技術資料

標題	類型	大?。↘B）	下載
SOT-23	PDF	32	點擊下載
Digital FET, N-Channel	PDF	474	點擊下載
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Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETs	PDF	319	點擊下載
Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	點擊下載
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	點擊下載
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs	PDF	2048	點擊下載
MOSFET Basics	PDF	1159	點擊下載

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