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    首頁產(chǎn)品索引FDV301N

    FDV301N

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    ?N溝道數(shù)字FET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    此N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導(dǎo)體專有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計,以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏壓電阻,這一N溝道FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。
    • 25 V,0.22 A持續(xù)電流,0.5 A峰值電流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V,RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
    • 柵極驅(qū)動電平要求極低,從而可在3V電路中直接運行。 VGS(th) < 1.5V。
    • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
    • 使用一個DMOS FET代替多個NPN數(shù)字晶體管。

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    FDV301N-F169-- 立即購買
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    技術(shù)資料

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    N-Channel,Digital FETPDF295 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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