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    FDN337N

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    ?N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管

    制造商:ON

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    產(chǎn)品信息

    SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用,此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。
    • 2.2 A,30 V,R
    • = 0.065 Ω @ V
    • = 4.5 V,R
    • = 0.082 Ω @ V
    • = 2.5 V。
    • 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形SOT-23表面貼裝封裝采用專有的SuperSOT?-3設(shè)計,具有優(yōu)異的熱性能和電氣性能。
    • 采用高密度單元設(shè)計,可實現(xiàn)極低的R
    • 。
    • 出色的導(dǎo)通阻抗和最大的DC電流能力。

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    FDN337N-F169-- 立即購買
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    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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    FGH40T65UQDFFGH40T65SHFOD8163FSA2457
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