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    首頁產(chǎn)品索引FDG6304P

    FDG6304P

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    ?雙P溝道數(shù)字FET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    這些P溝道邏輯電平增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計,以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。
    • -25 V、-0.41 A(連續(xù)值)、-1.5 A(峰值)。
    • R
    • = 1.1 Ω @ V
    • = 4.5 V,
    • R
    • = 1.5 Ω @ V
    • = -2.7 V。
    • 電平柵極驅(qū)動要求極低,從而可在3V電路中直接運行(V
    • < 1.5 V)。
    • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力(>6kV人體模型)。
    • 緊湊的工業(yè)標準SC70-6表面貼裝封裝。

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    FDG6304P-F169-- 立即購買
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    技術(shù)資料

    標題類型大小(KB)下載
    SC-88 (SC-70 6 Lead), 1.25x2PDF58 點擊下載
    Dual P-Channel, Digital FETPDF455 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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    FAN7711FSQ0370RNAFXL2SD106FSV20120V
    FSA221FAN4800CUFODM452FGB3245G2_F085
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    FAN3122CFPF1009fdmf5839FXL4TD245
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