
This low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure andwell proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakages
DN1509 封裝圖
DN1509 封裝圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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DN1509K1-G | BROADCOM LIMITED | 立即購買 | |
DN1509N8-G | Luminus | BIG CHIP LED HB MODULE BLUE | 立即購買 |
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De-- PPR、PE管、聚丙烯管 外徑 DN-- 聚乙烯(PVC)管、鑄鐵管、鋼塑復合管、鍍鋅鋼管公稱直徑 d -- 混凝土管公稱直徑 ф-- 無縫鋼管公稱直徑,其規(guī)格為,如ф100:108 X 4
DN15(4分管)、DN20(6分管)、DN25(1寸管)、DN32(1寸2管)、DN40(1寸半管)、DN50(2寸管)、DN65(2寸半管)、DN80(3寸管)、DN100(4寸管)、DN125(5寸管)、DN150(6寸管)、DN200(8寸管)、DN250(10寸管)等。
此前已經(jīng)泄露的照片,這次發(fā)布會將有三款 DN 系列新品,皆為全畫幅定焦鏡頭,卡口為索尼 E 口、徠卡 L 口。 ▲照片來自 mirrorlessrumors 根據(jù)泄露的高清照片,三款新鏡頭型號分別為
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