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    CSD17484F4

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    CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET? MOSFET

    制造商:TI

    產(chǎn)品信息

    描述 這款 99mΩ,30V N 通道 FemtoFET MOSFET 被設(shè)計(jì)且被優(yōu)化,以最大限度地減少多種手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。 這個(gè)技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少 60% 的同時(shí),替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào) MOSFET。 典型部件尺寸要了解所有可用封裝,請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 85°C/W,這是在厚度為 0.06 英寸 (1.52 mm) 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度為 0.071 mm)的銅過渡墊片上測得的典型值。脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1% 頂視圖特性 低導(dǎo)通電阻 超低 Qg 和 Qgd 低閾值電壓 超小型封裝尺寸(0402 外殼尺寸)1.0mm × 0.6mm超薄 高度 0.2mm集成型靜電放電 (ESD) 保護(hù)二極管額定值 > 4kV 人體放電模式 (HBM)額定值 > 2kV 組件充電模式 (CDM)無鉛且無鹵素 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用范圍針對(duì)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化 針對(duì)通用開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化 電池類應(yīng)用 手持式和移動(dòng)類應(yīng)用All trademarks are the property of their respective owners.

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    CSD17484F4TICSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 立即購買
    CSD17484F4TTICSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 立即購買

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    C503B-RCN-CW0Z0AA1CAT5137CL320C8051F987-GU
    CAT824CDCM6208CSD19537Q3C3225X7R1A226M
    CM1213CAT5133CM1214ACDCE937
    C3225X7S2A475M200ABC8051F330-GMCC1350C3225X7S2A335K200AB
    CAT25640C5SMF-GJS-CV0Y0792C3030WR-2x5PCAT5271
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