
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
傳播延遲:23 ns或65 ns
單電源供電
與3 V和5 V邏輯兼容
單獨(dú)的輸入和輸出部分
低功耗
寬輸入范圍:–5 V至+3.9 V
產(chǎn)品詳情
CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器,采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電,具體取決于接口邏輯或可用電源。獨(dú)立的輸入和輸出電源以及快速傳播特性,使得CMP401和CMP402成為便攜式儀器儀表接口應(yīng)用的絕佳選擇。CMP401和CMP402的額定溫度范圍為-40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍,采用16引腳塑封DIP或窄體SO-16表貼封裝。關(guān)于16引腳TSSOP封裝產(chǎn)品,請(qǐng)咨詢(xún)ADI公司。
...手了:RTX 3060挖礦效率刻意降低一半,同時(shí)推出專(zhuān)用礦卡CMP(加密貨幣加密處理器)。 NVIDIA表示,CMP不做圖形處理,沒(méi)有顯示輸出,核心峰值電壓和頻率更低,一切只為挖礦而生,主要是以太坊,由授權(quán)合作伙伴銷(xiāo)售。 ? 根據(jù)...
博世集團(tuán)選擇羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“R&S”公司)CMP200無(wú)線(xiàn)通信測(cè)試儀,用于在汽車(chē)生產(chǎn)中驗(yàn)證超寬帶(UWB)應(yīng)用。該項(xiàng)目是博世和R&S在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域長(zhǎng)期合作項(xiàng)目的一個(gè)延續(xù)。
CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化學(xué)機(jī)械拋光”,是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
如何使用AT32F415比較器(CMP)?
得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮,世界cmp拋光液市場(chǎng)正在經(jīng)歷明顯的增長(zhǎng)。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分,在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體的格局不斷重新形成,對(duì)cmp拋光液的需求從來(lái)沒(méi)有這么高過(guò)。
近日,為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)上產(chǎn)業(yè)化CMP建模工具的空白,滿(mǎn)足芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓制造廠的需求,廣立微正式推出CMP EXPLORER(簡(jiǎn)稱(chēng)“CMPEXP”)工具,保障芯片的可制造性和成品率,解決行業(yè)的痛點(diǎn)。
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,其品質(zhì)直接影響著拋光效果,因而
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝