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    首頁(yè)產(chǎn)品索引BSS806NH6327

    BSS806NH6327

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    MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

     

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    產(chǎn)品信息

    產(chǎn)品種類:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技術(shù): Si

    安裝風(fēng)格: SMD/SMT

    封裝 / 箱體: SOT-23-3

    通道數(shù)量: 1 Channel

    晶體管極性: N-Channel

    Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

    Id-連續(xù)漏極電流: 2.3 A

    Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 82 mOhms

    Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V

    Vgs th-柵源極閾值電壓: 0.55 V

    Qg-柵極電荷: 1.7 nC

    最大工作溫度: + 150 C

    封裝: Reel

    通道模式: Enhancement

    商標(biāo): Infineon Technologies

    配置: 1 N-Channel

    開(kāi)發(fā)套件: -

    下降時(shí)間: 3.7 ns

    正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S

    最小工作溫度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 500 mW

    上升時(shí)間: 9.9 ns

    系列: BSS806

    工廠包裝數(shù)量: 3000

    晶體管類型: 1 N-Channel

    典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns

    典型接通延遲時(shí)間: 7.5 ns

    零件號(hào)別名: BSS806N BSS806NH6327XT H6327 SP000928952

    特點(diǎn):

    N溝道

    增強(qiáng)型

    超邏輯電平( 1.8V額定)

    額定雪崩

    符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)

    100 %無(wú)鉛化;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)


    電路圖、引腳圖和封裝圖

    應(yīng)用案例更多案例

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    BAS116LBAS19BAV103BAS70SL
    BD679ABQ24296BFG520/XRBAV23S
    B32652A104KBF256BBAS16LBZT52B2V4-E3-18
    BQ34Z100B82722-J2302-N1B4B-XH-A(LF)(SN)BAS70-04LT1G
    BC33725TABLVR-L05D-B2NS-NBYM10-600-E3/96B82144A2476J
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