
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 0.55 V
Qg-柵極電荷: 1.7 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
開(kāi)發(fā)套件: -
下降時(shí)間: 3.7 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
上升時(shí)間: 9.9 ns
系列: BSS806
工廠包裝數(shù)量: 3000
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7.5 ns
零件號(hào)別名: BSS806N BSS806NH6327XT H6327 SP000928952
特點(diǎn):
N溝道
增強(qiáng)型
超邏輯電平( 1.8V額定)
額定雪崩
符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)
100 %無(wú)鉛化;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
BSS806NH6327 封裝圖
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