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    首頁產(chǎn)品索引BSS225H6327

    BSS225H6327

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    MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3

     

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    產(chǎn)品種類:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技術: Si

    安裝風格: SMD/SMT

    封裝 / 箱體: SOT-89-3

    通道數(shù)量: 1 Channel

    晶體管極性: N-Channel

    Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

    Id-連續(xù)漏極電流: 90 mA

    Rds On-漏源導通電阻: 45 Ohms

    Vgs - 柵極-源極電壓: +/- 20 V

    Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V

    Qg-柵極電荷: 3.9 nC

    最大工作溫度: + 150 C

    封裝: Reel

    通道模式: Enhancement

    商標: Infineon Technologies

    配置: Single

    下降時間: 41 ns

    正向跨導 - 最小值: 140 mS

    最小工作溫度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 1 W

    上升時間: 38 ns

    系列: BSS225

    工廠包裝數(shù)量: 1000

    晶體管類型: 1 N-Channel

    典型關閉延遲時間: 62 ns

    典型接通延遲時間: 14 ns

    零件號別名: BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 SP001195032

    特點:

    N溝道

    增強型

    邏輯電平

    dv / dt的額定

    無鉛引腳電鍍;符合RoHS標準


    電路圖、引腳圖和封裝圖

    應用案例更多案例

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    B130-13-FBAT54LBAT54HBAT54M3T5G
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