
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-89-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 mA
Rds On-漏源導通電阻: 45 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: +/- 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Qg-柵極電荷: 3.9 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 41 ns
正向跨導 - 最小值: 140 mS
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1 W
上升時間: 38 ns
系列: BSS225
工廠包裝數(shù)量: 1000
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
零件號別名: BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 SP001195032
特點:
N溝道
增強型
邏輯電平
dv / dt的額定
無鉛引腳電鍍;符合RoHS標準
BSS225H6327 封裝圖
編譯完成后,ELF解析的bss數(shù)值3372,并不等于bss_end - bss_start,而是等于bss_end - sstack。
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B130-13-F | BAT54L | BAT54H | BAT54M3T5G |
BQ27541-G1 | BDW42 | BSD235NH6327XT | BZV55-B4V3 |
BQ24278 | BAR43S | B4B-XH-A(LF)(SN) | BAS16SL |
B72214S0381K101 | BAT54S | BAW62 | BAW56W |
BYM10-600-E3/96 | BQ24600 | BZX84C3V3LT1G | BQ50002 |