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    首頁產(chǎn)品索引AX20NV4G821BAI101

    AX20NV4G821BAI101

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    4Gbit, 2.7V – 3.6V,-40?C to +85?C

     

    產(chǎn)品信息

    愛思存儲(chǔ)的SLC NAND閃存實(shí)現(xiàn)了每單元1位技術(shù),將高性能與當(dāng)今嵌入式和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所需的強(qiáng)大耐用性和可靠性相結(jié)合。


    愛思存儲(chǔ)SLC NAND支持用于高性能I / O操作的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ONFI 1.0接口,支持標(biāo)準(zhǔn)引腳排列,在密度范圍內(nèi)保持不變,無需重新設(shè)計(jì)電路板即可實(shí)現(xiàn)更高密度的未來升級(jí)。


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    AX20NV4G821BAI101AxiaAxia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND閃存,組織為2112字節(jié)×64頁×1024個(gè)塊。所有讀取和程序操作均使用2112字節(jié)寄存器執(zhí)行;允許以 2112 字節(jié)為增量將數(shù)據(jù)傳入和傳出內(nèi)存陣列。擦除操作在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)(2112 字節(jié)× 64 頁)。ECC 是提高數(shù)據(jù)可靠性所必需的。 立即購買

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