優(yōu)勢和特點(diǎn)

  峰值輸出電流：2 A (DSON)

  2.5 V至6.5 V輸入

  4.5 V至35 V輸出

  欠壓閉鎖(UVLO)：2.5 V VDD1

  VDD2上提供多個(gè)UVLO選項(xiàng)

  A級(jí)：VDD2上的UVLO：4.4 V（典型值）

  B級(jí)：VDD2上的UVLO：7.3 V（典型值）

  C級(jí)：VDD2上的UVLO：11.3 V（典型值）

  精密時(shí)序特性

  隔離器和驅(qū)動(dòng)器傳播延遲：53 ns（最大值）

  CMOS輸入邏輯電平

  高共模瞬變抗擾度：>150 kV/μs

  工作結(jié)溫最高可達(dá)：125°C

  默認(rèn)低電平輸出

  內(nèi)部米勒箝位

  安全和法規(guī)認(rèn)證（申請(qǐng)中）

  UL認(rèn)證符合UL 1577

  1分鐘5 kV rms，SOIC長封裝

  CSA元件驗(yàn)收通知5A

  符合VDE標(biāo)準(zhǔn)證書（申請(qǐng)中）

  DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12

  VIORM = 849 V峰值

  8引腳寬體SOIC封裝

產(chǎn)品詳情

ADuM4121/ADuM4121-1為2 A隔離式、單通道驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司的iCoupler?技術(shù)提供精密隔離。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔離，采用8引腳寬體SOIC封裝。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅(qū)動(dòng)器組合等替代器件的出色性能特征。

ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V輸入電壓工作，可與較低電壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動(dòng)器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的輸入與輸出之間具有真電氣隔離優(yōu)勢。

ADuM4121/ADuM4121-1集成內(nèi)部米勒箝位，在2 V時(shí)可在柵極驅(qū)動(dòng)輸出的下降沿上激活，提供具有較低阻抗路徑的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，以減少米勒電容感應(yīng)導(dǎo)通的可能性。

有很多選項(xiàng)可用于熱關(guān)斷使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各種開關(guān)電壓范圍內(nèi)對(duì)絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)/金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)配置的開關(guān)特性進(jìn)行可靠控制。

應(yīng)用

  開關(guān)電源

  隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

  工業(yè)逆變器

  氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件