
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
高共模瞬變抗擾度:100 kV/μs
對(duì)輻射和傳導(dǎo)噪聲的高抗干擾能力
低傳播延遲
13 ns(最大值,5 V)
15 ns(最大值,1.8 V)
最大保證數(shù)據(jù)速率:150 Mbps
安全和法規(guī)認(rèn)證(申請(qǐng)中)
UL認(rèn)證:1分鐘5000 V rms,符合UL 1577
CSA元件驗(yàn)收通知5A
VDE合格證書
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
VIORM = 849 V 峰值
CQC認(rèn)證符合GB4943.1-2011
低動(dòng)態(tài)功耗
1.8 V至5 V電平轉(zhuǎn)換
工作溫度最高可達(dá):125°C
故障安全高或低選項(xiàng)
16引腳寬體SOIC_IC封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品詳情
ADuM260N/ADuM261N/ADuM262N/ADuM263N均為采用ADI公司iCoupler?技術(shù)的6通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與單芯片空芯變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。這些器件的最大傳播延遲為13 ns,在5 V下脈沖寬度失真小于4.5 ns。具有嚴(yán)格的4.0 ns(最大值)傳播延遲通道間匹配。
ADuM260N/ADuM261N/ADuM262N/ADuM263N數(shù)據(jù)通道屬于獨(dú)立式通道,提供多種配置選擇,可承受5.0 kV rms的電壓額定值(請(qǐng)參見“訂購指南”)。這些器件均可采用1.7 V至5.5 V電源電壓工作,與低壓系統(tǒng)兼容,并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。
與其它光耦合器不同,可確保不存在輸入邏輯轉(zhuǎn)換時(shí)的直流正確性。它們提供兩種不同的故障安全選項(xiàng),輸入電源未用時(shí),輸出轉(zhuǎn)換到預(yù)定狀態(tài)。
應(yīng)用
通用多通道隔離
串行外設(shè)接口(SPI)/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離
工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線隔離
ADUM263N電路圖
ADUM263N 引腳圖
型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
ADUM263N1BRIZ | - | - | 立即購買 |
ADUM263N0BRIZ | - | - | 立即購買 |
ADUM263N0BRIZ-RL | - | - | 立即購買 |
ADUM263N1BRIZ-RL | - | - | 立即購買 |
Texas Instruments AM263Px/AM263Px-Q1基于Arm?的微控制器(MCU)旨在滿足下一代工業(yè)和汽車嵌入式產(chǎn)品的復(fù)雜實(shí)時(shí)處理需求。AM263Px/AM263
ADuM110N是采用ADI公司**iCoupler**^?^技術(shù)的單通道數(shù)字隔離器。 該隔離器件將高速、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與單芯片空芯變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于光耦合器件和其它集成
ADuM120N/[ADuM121N均為采用ADI公司**i**Coupler ^?^ 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與單芯片空芯變壓器技術(shù)融為一體
ADuM210N是采用ADI公司*i*Coupler ^?^ 技術(shù)的單通道數(shù)字隔離器。該隔離器件將高速、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與單芯片空芯變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。這些器件的最大傳播延遲為13 ns,在5 V下脈沖寬度失真小于3 ns。
AD7142 | ADP170 | ADS114S06 | AD7606-6 |
AD5722R | AD22293Z | AD9517-2 | AD7450A |
AD8253 | AD9059 | ADM8612 | ADC121S021 |
ADS1158 | ADF4154 | ADS8344 | AD824 |
ADA4891-4 | AD2S1210 | ADS8319 | AD9856 |