
制造商:TI
ADS1113-Q1、ADS1114-Q1 和 ADS1115-Q1 器件 (ADS111x-Q1) 是兼容 I2C 的 16 位高精度低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC),采用VSSOP-10 封裝。ADS111x-Q1 器件采用了低漂移電壓基準和振蕩器。ADS1114-Q1 和 ADS1115-Q1 還采用可編程增益放大器 (PGA) 和數(shù)字比較器。這些 特性加以較寬的工作電源電壓范圍使得 ADS111x-Q1ADS111x 非常適合功率受限和空間受限的傳感器測量 應(yīng)用中經(jīng)常遇到的特定頻率下 OPAx189 的 EMIRR +IN 值。
ADS111x-Q1 可在數(shù)據(jù)速率高達每秒 860 個樣本 (SPS) 的情況下執(zhí)行轉(zhuǎn)換。PGA 可提供從 ±256mV 到 ±6.144V 的輸入范圍,從而實現(xiàn)精準的大小信號測量。ADS1115-Q1 具有 一個輸入多路復(fù)用器 (MUX),可實現(xiàn)兩次差動輸入測量或四次單端輸入測量。在 ADS1114-Q1 和 ADS1115-Q1 中可使用數(shù)字比較器進行欠壓和過壓檢測。
ADS111x-Q1ADS111x 既可在連續(xù)轉(zhuǎn)換模式下工作,也可在單沖模式下工作。在單沖模式下,這些器件可在一次轉(zhuǎn)換后自動斷電;因此顯著降低了空閑期間的功耗。
Qualified for Automotive 標準
具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果:
溫度等級 1:-40°C 至 +125°C
人體放電模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 2
組件充電模型 (CDM) ESD 分類等級 C4B
寬電源電壓:2.0V 至 5.5V
低流耗:150μA
(連續(xù)轉(zhuǎn)換模式)
可編程數(shù)據(jù)傳輸速率:
8SPS 至 860SPS
單周期穩(wěn)定
內(nèi)部低漂移電壓基準
內(nèi)部振蕩器
I2C 接口:四個引腳可選地址
四個單端輸入或兩個差分輸入 (ADS1115-Q1)
可編程比較器(ADS1114-Q1 和 ADS1115-Q1)
ADS1115-Q1電路圖
ADS1115-Q1 引腳圖
ADS1115-Q1 封裝圖
ADS1115-Q1 封裝圖
這里說的home目錄就是啟動ADS后,默認打開的路徑,通常是你存放ADS工程所在的目錄。
ADS1115 器件是兼容 IIC 的 16 位高精度低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC),采用超小型無引線 X2QFN-10 封裝和 VSSOP-10 封裝。ADS111x 器件采用了低漂移電壓基準
士模微推出對標ADS1115系列的高精度低功耗Sigma-Delta ADC,精度可達16位峰峰值分辨率
。 剛好,我手頭有一個ADS1115 ADC模塊,相當?shù)牟诲e,某寶某店家介紹如下: 不吹不擂,這個ADS1115 ADC模塊,那是相當?shù)暮糜谩?一共提供了4個輸入通道,16bit的,精細度很高。 既然
據(jù)消息,Mercury Research對外發(fā)布了2022年Q1 CPU市場份額報告,報告數(shù)據(jù)顯示,x86處理器市場的所有細分市場在Q1都呈現(xiàn)了下滑趨勢,其中臺式電腦下降了30%損失最為嚴重的。
大家好,我是記得誠。 最近逛論壇,看到一個帖子,如下: 電路圖如下,是個低功耗電池電壓采集方案,多次通電后,Q1無情的冒煙了。 VDD是低功耗外設(shè)電壓,低功耗下VDD=0V,喚醒后VDD=3.3V
就上圖可以看到,2023年Q1的半導體行業(yè)表現(xiàn)差強人意,除了半導體設(shè)備實現(xiàn)了營收增長,其余幾個賽道都表現(xiàn)出了同比營收下滑。在這樣的市場環(huán)境下有哪些半導體公司脫穎而出,表現(xiàn)較強的抗壓性和韌性。
在功率放大電路中,應(yīng)根據(jù)晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來選擇晶體管。 1、最大的管壓降 從OCL電路工作原理的分析可知,兩只功放管中Q1和Q2處于截至狀態(tài)的管子
ADP3336 | ATSAML22N16A | ADA4177-1 | ADS8694 |
ADP165 | AD9779 | AD5665R | at89c2051 |
ADR395 | AD713 | ADV7123 | ADC104S101 |
ADUC834 | ADM3486E | ADTL082 | ADS124S06 |
AD8344 | AD5272 | ADN4670 | AD825 |