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    ADR439

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    超低噪聲、4.5V XFET?基準電壓源,具有吸電流和源電流能力

     

    產(chǎn)品信息

    主要參數(shù)

      低噪聲(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 μV p-p(2.5 V輸出)

      無需外部電容

      低溫度系數(shù)A 級: 10 ppm/°C (最大值)B 級: 3 ppm/°C (最大值)

      負載調(diào)整率:15 ppm/mA

      線性調(diào)整率:20 ppm/V

      寬工作電壓范圍: ADR430: 4.1 V 至 18 V ADR431: 4.5 V 至18 V ADR433: 5.0 V 至 18 V ADR434: 6.1 V 至 18 V ADR435: 7.0 V 至 18 V ADR439: 6.5 V 至18 V

      高輸出源電流和吸電流:+30 mA和?20 mA

      寬溫度范圍:?40°C至+125°C

    產(chǎn)品詳情

    ADR43x是XFET系列基準電壓源,具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI的溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET(外加離子注入場效應(yīng)管)技術(shù),可以使ADR43x電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。??????????????????????????????????????????

    與嵌入式齊納基準電壓源相比,XFET基準電壓源能以更低的功耗(800 μA)和更小的電源裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基準電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

    ADR43x系列的源電流輸出最高達30 mA,最大吸電流能力為20 mA。它還具有調(diào)整引腳,可以在0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓,而性能則不受影響。

    ADR43x提供8引腳MSOP和窄體SOIC兩種封裝。所有型號產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍。

    應(yīng)用

      精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

      高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

      醫(yī)療儀器

      工業(yè)過程控制系統(tǒng)

      光學(xué)控制電路

      精密儀器

    應(yīng)用案例更多案例

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