優(yōu)勢和特點

  雙通道、1024位分辨率

  標(biāo)稱電阻：25 kΩ、250 kΩ

  標(biāo)稱電阻容差誤差：±8%（最大值）

  低溫度系數(shù)：35 ppm/°C

  2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源

  電流監(jiān)控可配置功能

  SPI兼容型串行接口

  非易失性存儲器存儲游標(biāo)設(shè)置

  加電刷新EEMEM設(shè)置

  永久性存儲器寫保護(hù)

  電阻容差儲存于EEMEM中

  26字節(jié)額外非易失性存儲器，用于存儲用戶定義信息

  1M編程周期

  典型數(shù)據(jù)保留期：100年

產(chǎn)品詳情

ADN2850是一款雙通道非易失性存儲器和1024步分辨率的數(shù)字控制電阻器，保證最大電阻容差誤差僅為±8%。該器件可實現(xiàn)與機械可變電阻器相同的電子調(diào)整功能，而且具有增強的分辨率、固態(tài)可靠性和出色的低溫度系數(shù)性能。ADN2850通過SPI?兼容型串行接口進(jìn)行多功能編程，提供16種工作和調(diào)整模式，包括：暫存編程、存儲器存儲和恢復(fù)、遞增/遞減、±6 dB/步對數(shù)抽頭調(diào)整、游標(biāo)設(shè)置回讀、以及用于存儲其它器件的存儲器數(shù)據(jù)、查找表或系統(tǒng)識別信息等用戶自定義信息的額外EEMEM。

在暫存編程模式下，可以直接將具體設(shè)置編程至RDAC寄存器，使其設(shè)置W端與B端之間的電阻。該設(shè)置信息可以存儲于EEMEM之中，系統(tǒng)加電時會自動恢復(fù)至RDAC寄存器。

EEMEM內(nèi)容可以動態(tài)恢復(fù)，也可通過外部PR選通恢復(fù)；EEMEM中的內(nèi)容由一個WP函數(shù)加以保護(hù)。為了簡化編程，可以利用獨立或同步線性步進(jìn)遞增或遞減命令來上下移動RDAC游標(biāo)，一次一步。對于游標(biāo)設(shè)置中的對數(shù)±6 dB變化，可以利用左/右位移命令來倍增或減半RDAC游標(biāo)設(shè)置。

ADN2850的模式電阻容差存儲在EEMEM中。因此，實際的滿量程電阻可以通過主機處理器在回讀模式得知。主機可以通過軟件程序執(zhí)行適當(dāng)?shù)碾娮璨竭M(jìn)，這樣可以簡化開環(huán)應(yīng)用以及精密校準(zhǔn)和容差匹配應(yīng)用。

ADN2850采用5 mm × 5 mm 16引腳架構(gòu)芯片級 LFCSP和薄型16引腳TSSOP封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+85°C擴展工業(yè)溫度范圍。

應(yīng)用

  SONET、SDH、ATM、千兆以太網(wǎng)、DWDM激光二極管驅(qū)動器、光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)

  機械變阻器的替代產(chǎn)品

  儀器儀表增益調(diào)整

  可編程濾波器、延遲、時間常數(shù)

  傳感器校準(zhǔn)