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應(yīng)用案例更多案例

• 深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機(jī)理

  半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定的刻蝕劑（諸如酸性、堿性或氧化性溶液）與半導(dǎo)體材料之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)。這些反應(yīng)促使材料轉(zhuǎn)化為可溶性化合物，進(jìn)而溶解于刻蝕液中，達(dá)到材料去除的目的。 2 刻蝕速率的精細(xì)調(diào)控：刻蝕速率不僅受到化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的影響，還取決于

  2025-01-09
• Texas Instruments LP-MSPM0C1104 LaunchPad?開發(fā)套件數(shù)據(jù)手冊

  Texas Instruments LP-MSPM0C1104 LaunchPad? 開發(fā)套件設(shè)計(jì)用于快速、輕松地演示MSPM0C1104微控制器（MCU）。該套件提供在MSPM0C110x微控制器平臺(tái)上開始開發(fā)所需的一切，包括一個(gè)用于編程和調(diào)試的板載調(diào)試探頭。此外，電路板上還有一個(gè)板載按鈕和led指示燈，可快速集成一個(gè)簡單的用戶界面。TI MSPM0C1104是一款A(yù)rm? Cortex? 32位M0+ CPU，頻率高達(dá)24MHz。該設(shè)備配備16KB嵌入式閃存和1KB片上RAM。

  2025-08-01
• 互感器p2朝上會(huì)影響計(jì)量嗎

  互感器P2朝上確實(shí)可能會(huì)對計(jì)量產(chǎn)生影響。通常情況下，互感器的P1P2朝向是固定的，即一次側(cè)的電壓引腳P1朝上，二次側(cè)的電壓引腳P2朝下。這種朝向方式能夠確?；ジ衅骶哂懈玫木群头€(wěn)定性，從而保證測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。 如果將互感器P1P2轉(zhuǎn)動(dòng)180度，使得P2朝上，P1朝下，這將會(huì)對電能傳輸和測量造成一定的影響。因?yàn)樵谶@種情況下，互感器的輸出信號中可能會(huì)受到其他因素的影響，導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)出現(xiàn)誤差。具體來說，這種朝向的改變可能會(huì)影響到互

  2024-08-22
• PD芯片取電：電子設(shè)備的動(dòng)力之源6020 6500

  特別是近年來，隨著USB Power Delivery（PD）技術(shù)的普及，PD芯片取電技術(shù)因其高效、靈活和安全的特點(diǎn)，成為了電子設(shè)備充電和供電的重要解決方案。PD芯片通過內(nèi)置的電路和算法，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測設(shè)備的充電狀態(tài)，并根據(jù)設(shè)備的實(shí)際需求來調(diào)整電壓和電流，以實(shí)現(xiàn)快速、安全、穩(wěn)定的充電。未來隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用場景的不斷拓展，PD芯片取電技術(shù)將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。安全性增強(qiáng)：隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，PD芯片取電技術(shù)的安全性將得到進(jìn)一步增強(qiáng)，通過更加嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)和測試流程，確保用戶在使用過程中的安全。

  2024-05-07
• 基于使用皮爾遜相關(guān)系數(shù)的光頻域反射技術(shù)（OFDR）的單端大于100公里的分布式振動(dòng)傳感器

  ? 前言 在光纖傳感領(lǐng)域，分布式光纖振動(dòng)傳感器（DOFVS）是實(shí)現(xiàn)光纖集成傳感與通信（ISAC-OF）的關(guān)鍵技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于城市結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測、海洋地震探測以及管道、電纜、周界安全監(jiān)測。近些年的研究重點(diǎn)聚焦于超過100公里的長距離DOFVS，但是現(xiàn)有技術(shù)如基于正向干涉儀或基于背向散射的方法均存在一定的局限性。本文提出了一種基于光頻域反射儀（OFDR）和皮爾遜相關(guān)系數(shù)（Pearson-CC）的單端超100公里的分布式振動(dòng)傳感器技術(shù)，為長距離振動(dòng)監(jiān)測提供

  2025-04-09
• 浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

  作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 產(chǎn)品設(shè)計(jì)師必須有能力在多種限制因素之間進(jìn)行平衡——封裝大小、成本、可靠性和上市時(shí)間。關(guān)鍵挑戰(zhàn)是選擇一個(gè)適合現(xiàn)代應(yīng)用所需的狹小空間的電源。 緊湊的高性能功率級依賴快速、可靠的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。這類解決方案既有簡單的低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，也有適合高壓環(huán)境的全隔離版本。對于許多設(shè)計(jì)來說，浮地非隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了一條有效的成功途徑。 柵極驅(qū)動(dòng)器用作中間器件，將通常來自微控制器或脈

  2025-10-03
• 電流密度1 kA/cm2，二極管耐壓比SiC大3倍！氧化鎵器件商業(yè)化！

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào) 道 （文/梁浩斌）最近，康奈爾大學(xué)孵化的初創(chuàng)企業(yè)Gallox semiconductors成功入選 Activate Fellowship 2025 年度項(xiàng)目。這一為期兩年的計(jì)劃，可以讓研究人員在創(chuàng)業(yè)期間每年獲得10萬美元生活津貼和10萬美元研發(fā)經(jīng)費(fèi)，并獲得其他項(xiàng)目、學(xué)員和潛在投資者、行業(yè)專家等建立聯(lián)系的機(jī)會(huì)。 值得關(guān)注的是，Gallox是全球首家將氧化鎵器件商業(yè)化的公司，Jonathon McCandless在康奈爾大學(xué)攻讀博士期間研發(fā)了氧化鎵半導(dǎo)體，并在完成博士學(xué)位后創(chuàng)立了Gallox公司，

  2025-09-06
• 錦浪科技榮登福布斯·出海全球化旗艦品牌Top30

  恭喜錦浪科技榮登福布斯·出海全球化旗艦品牌Top30。 大航海時(shí)代，去有浪的地方。錦浪科技榮獲福布斯中國·出海全球化旗艦品牌TOP30,在全球一體化大背景下，主動(dòng)擁抱全球化，無畏風(fēng)浪，勇立潮頭，從世界屋脊到極境冰川，從荒涼沙漠到繁華都市，讓更多人享受到清潔能源帶來的美好生活，用技術(shù)的力量推動(dòng)清潔能源成為全球主力能源。

  2024-11-27

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