AD5627R

制造商：ADI/AD

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  AD5627R電路圖

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  AD5627R 引腳圖

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• 正點(diǎn)原子i.MX 93開(kāi)發(fā)板，雙核A55+M33+NPU，雙路RS485&FDCAN&千兆網(wǎng)，異核/AI/工業(yè)開(kāi)發(fā)！

  正點(diǎn)原子i.MX 93開(kāi)發(fā)板，雙核A55+M33+NPU，雙路RS485&FDCAN&千兆網(wǎng)，異核/AI/工業(yè)開(kāi)發(fā)！正點(diǎn)原子i.MX93開(kāi)發(fā)板采用NXP i.MX9352處理器，適配Linux 6內(nèi)核、Qt6界面，硬件接口支持雙路RS485 總線接口和雙路FDCAN總線接口，帶數(shù)字隔離、電源隔離，多重防護(hù)；板載2 路千兆以太網(wǎng)接口；支持MIPI CSI接口，可使用正點(diǎn)原子OV5645攝像頭；支持MIPI DSI接口，可使用正點(diǎn)原子5.5寸720x1280\1080x1920電容觸摸屏、10.1 寸800x1280 MIPI 電容觸摸屏；支持LVDS接口，可使用正點(diǎn)原子的10.1 寸1280x800 LVDS 電容觸摸屏；更有WIFI&BT、音頻、4G接口等豐富資源。

  2024-05-08
• 安世半導(dǎo)體公布2023年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

  近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）發(fā)布了其2023年度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告中突顯了公司在關(guān)鍵汽車(chē)細(xì)分市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)以及研發(fā)投資的積極增加。盡管面臨半導(dǎo)體行業(yè)整體的市場(chǎng)需求疲軟和收入下滑的挑戰(zhàn)，Nexperia依然取得了不俗的業(yè)績(jī)。

  2024-05-08
• 激光焊接機(jī)在醫(yī)療傳感器的技術(shù)應(yīng)用

  隨著醫(yī)療技術(shù)的不斷進(jìn)步，醫(yī)療傳感器在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。而激光焊接技術(shù)作為一種高效、精確的焊接方法，其在醫(yī)療傳感器工藝中的應(yīng)用也逐漸受到人們的關(guān)注。下面來(lái)看看激光焊接機(jī)在醫(yī)療傳感器的技術(shù)應(yīng)用。 激光焊接技術(shù)是利用高能量密度的激光束作為熱源，通過(guò)局部加熱使被焊材料熔化，然后冷卻凝固形成永久性連接的一種焊接方法。它具有焊接速度快、焊縫質(zhì)量高、熱影響區(qū)小、變形小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、電子、航空航天

  2024-05-08
• 基于AD603和AD8320芯片實(shí)現(xiàn)數(shù)字AGC的原理與設(shè)計(jì)

  采用ADI公司的可變?cè)鲆娣糯笃?、?shù)字可控增益放大器和FPGA實(shí)現(xiàn)大動(dòng)態(tài)范圍的自動(dòng)增益控制，這兩個(gè)增益放大器均采用ADI公司的先進(jìn)工藝技術(shù)，且能提供精確的線性放大，受溫度影響很小。

  2020-08-12
• 求一種汽車(chē)域控制器DCU電源浪涌過(guò)壓保護(hù)方案

  汽車(chē)域控制器(Domain Controller Unit，DCU)是一種集成了多個(gè)功能模塊ECU的電子控制單元，用于管理和控制汽車(chē)內(nèi)部的不同功能域。

  2024-05-08
• 東芝推出帶有嵌入式微控制器的SmartMCD系列柵極驅(qū)動(dòng)IC

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱“東芝”）最新發(fā)布，已開(kāi)始大規(guī)模供應(yīng)其創(chuàng)新的SmartMCD?系列柵極驅(qū)動(dòng)IC，這些IC內(nèi)嵌了先進(jìn)的微控制器（MCU）。首款產(chǎn)品“TB9M003FG”特別針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用中的無(wú)感控制3相直流無(wú)刷電機(jī)而設(shè)計(jì)，如水泵、油泵、風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備。

  2024-05-08
• 東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車(chē)載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

  東芝近日發(fā)布了兩款專為車(chē)載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。

  2024-05-08
• 絕緣電阻測(cè)試和耐壓測(cè)試區(qū)別

  絕緣電阻測(cè)試和耐壓測(cè)試都是電力系統(tǒng)中重要的預(yù)防性試驗(yàn)，用于評(píng)估電氣設(shè)備的絕緣性能，并預(yù)防潛在的電氣故障。雖然兩者都與絕緣有關(guān)，但它們?cè)跍y(cè)試原理、目的、方法和應(yīng)用方面存在顯著差異。 測(cè)試原理 絕緣電阻測(cè)試基于歐姆定律，通過(guò)測(cè)量被測(cè)設(shè)備兩端施加的直流電壓和流過(guò)的電流，計(jì)算出絕緣電阻值。絕緣電阻值越高，表明絕緣性能越好，反之則說(shuō)明絕緣性能下降，可能存在漏電隱患。 耐壓測(cè)試則基于擊穿電壓的概念，通過(guò)向被測(cè)設(shè)備施

  2024-05-08

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