2309-1DCGI

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• ZR模組：實(shí)現(xiàn)智能化生產(chǎn)的關(guān)鍵要素

  ZR模組：實(shí)現(xiàn)智能化生產(chǎn)的關(guān)鍵要素 在智能化生產(chǎn)的大背景下，ZR模組以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成為了實(shí)現(xiàn)智能化生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。它以其高度集成化、智能化和靈活性的特點(diǎn)，為企業(yè)的生產(chǎn)帶來(lái)了革命性的改變。 ZR模組是一種高度集成化的工業(yè)模塊，它集成了傳感器、控制器和執(zhí)行器等多種功能，為智能化生產(chǎn)提供了強(qiáng)有力的支持。這種集成化的設(shè)計(jì)使得ZR模組在生產(chǎn)線上能夠輕松實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的動(dòng)作和控制要求，從而提高了生產(chǎn)效率和質(zhì)量。 智能化是ZR模組

  2024-06-13
• 7芯M16接頭無(wú)人機(jī)連接器的種類有哪些

  　　德索工程師說(shuō)道在無(wú)人機(jī)系統(tǒng)中，連接器作為關(guān)鍵部件，負(fù)責(zé)各個(gè)組件之間的信號(hào)與數(shù)據(jù)傳輸。7芯M16接頭無(wú)人機(jī)連接器因其高可靠性、穩(wěn)定性和廣泛的適用性，成為無(wú)人機(jī)領(lǐng)域的重要選擇。以下是關(guān)于7芯M16接頭無(wú)人機(jī)連接器的種類介紹：

  2024-06-13
• 貝索斯再次問(wèn)鼎全球首富

  今日，亞馬遜創(chuàng)始人杰夫·貝索斯再次榮登全球首富寶座，成功超越了法國(guó)奢侈品巨頭LVMH老板伯納德·阿爾諾。在全球富豪500強(qiáng)排名中，貝索斯以驚人的2090億美元凈資產(chǎn)位列榜首。

  2024-06-13
• Altair 宣布即將舉辦 ATCx AI for Engineers 2024 全球線上會(huì)議

  上海2024年6月12日?/美通社/ -- Altair（納斯達(dá)克股票代碼：ALTR）近日宣布將于6月20日北京時(shí)間15:00舉辦面向廣大工程師的全球線上直播會(huì)議"ATCx AI for Engineers 2024"。本次會(huì)議邀請(qǐng)了來(lái)自全球知名專家和學(xué)者們，共同探討如何利用人工智能加速工程設(shè)計(jì)、仿真和制造進(jìn)程。 會(huì)議議題涵蓋： 人工智能驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化：探索?AI 如何實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)探索自動(dòng)化、提高產(chǎn)品性能并促進(jìn)可持續(xù)發(fā)展； 人工智能嵌入式工程：探索如何將?AI 集成到仿真工具中，以實(shí)現(xiàn)更快、

  2024-06-13
• 格力董明珠談光伏

  在近日舉行的SNEC PV+第十七屆全球光伏大會(huì)開幕式上，格力電器（000651.SZ）的董事長(zhǎng)兼總裁董明珠女士，為大家?guī)?lái)了格力光伏空調(diào)的詳細(xì)介紹。董明珠表示，格力電器之所以進(jìn)軍光伏產(chǎn)業(yè)，其靈感之源正是與我們生活息息相關(guān)的空調(diào)。

  2024-06-13
• BLDC電機(jī)與變頻器的區(qū)別

  在電機(jī)技術(shù)不斷發(fā)展的今天，BLDC電機(jī)（Brushless Direct Current Motor，無(wú)刷直流電機(jī)）以其高效、低噪音、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而變頻器作為電機(jī)控制系統(tǒng)中的重要組成部分，也發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將對(duì)BLDC電機(jī)的定義、特點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)介紹，并深入探討B(tài)LDC電機(jī)與變頻器之間的區(qū)別。

  2024-06-13
• NP2309EFR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

  描述 NP2309EFR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -20v, id = -2a RDS(上)(Typ) = 61.5Ω@VGS = -4.5 v RDS(上)(Typ) = 70.5Ω@VGS = -2.5 v ?高功率和電流...

  2022-07-07
• NP2309EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

  描述 NP2309EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -20v, id = -5a RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v RDS(上)(Typ) = 46米Ω@VGS = -2.5 v ?高功率和電...

  2022-07-06

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