1EDI20N12AF

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  1EDI20N12AF電路圖

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  1EDI20N12AF 引腳圖

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  1EDI20N12AF 封裝圖

技術(shù)資料

應(yīng)用案例更多案例

• SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

  ... SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián) Driver IC 1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動電流±4A(min) 2、仿

  2021-03-11
• 觀海微GH8555BL+BOE9.0(AV090HDQ-N19)/ Boe10.1(AV101HDQ-N19)搭配原理及代碼

  VBP:8 Vfp:9 Hsync:20 hbp:20 hfp:140 ?? ?Generic_Short_Write_1P(0xee,0x50);?? ??? ??? ??

  2023-01-04
• NP3416BEMR(20V N溝道增強模MOSFET)

  NP3416BEMR(20V N溝道增強模MOSFET)

  2022-07-19
• EiceDRIVER 系列新產(chǎn)品：1EDI Compact驅(qū)動器采用無芯變壓器技術(shù) 適用于電壓高達1200V的應(yīng)用

  ...科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動器。該款電氣絕緣驅(qū)動器的組件采用英飛凌研發(fā)的無磁芯變壓器技術(shù)，該技術(shù)可以在獨立的輸出引腳上實現(xiàn)高達6安培的輸出電流。

  2013-12-04
• Xilinx宣布率先量產(chǎn)20nm FPGA器件

  2014年12月22日，中國北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。

  2014-12-23
• GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET

  選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。

  2021-03-23
• 1N4001S~1N4007S整流二極管

  前兩天二極管生產(chǎn)廠家東沃電子科普過1N4007和1N4007G這兩種普通塑封整流二極管，查看“STD-1N4001 Thru 1N4007 (DO-41) Datasheet

  2023-08-17
• EDI在家電行業(yè)的應(yīng)用現(xiàn)狀

  平均水平2.6個百分點。為了與國外交易伙伴盡快達成合作，提高數(shù)據(jù)傳輸效率和行業(yè)競爭優(yōu)勢，越來越多的企業(yè)開始將部署EDI納入企業(yè)信息化發(fā)展的計劃之中。 被動部署EDI 對接國外交易伙伴 我們熟知的百年白色家電制造商——博西，早已向其供應(yīng)商推薦

  2021-12-17

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