
芯片公司:辰達半導體(MDD)
發(fā)布時間:2023-05-18
摘要:在市場需求的加持下,MDD強勢推出三種工藝MOSFET系列產(chǎn)品,為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。
根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),2020年全球功率MOSFET的市場規(guī)模為81億美元,在新能源汽車,工業(yè)控制、5G通訊等市場需求的加持下,全球增速將保持高速增長,預測在2025年將達到118.47億美元。
MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管,是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET 器件具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點,是功率半導體的基礎器件。
從汽車電子的應用場景看,MOSFET是汽車電子中的核心元件,汽車引擎、驅(qū)動系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動、轉(zhuǎn)向控制,都離不開MOSFET。相比較于燃油汽車而言,新能源汽車的智能化、電動化的發(fā)展,加快了市場對MOSFET需求的進程,比如DC/DC的高壓MOSFET、OBC 中的超級結MOSFET等需求激增,以滿足實際運行中,對工作電流和電壓的更高要求。
MDD辰達半導體憑借多年的行業(yè)經(jīng)驗與技術積累,在夯實二極管、三極管、整流橋的產(chǎn)品基礎上,積極布局MOSFET系列產(chǎn)品,從產(chǎn)品規(guī)劃、質(zhì)量、工藝等方面取得重大突破。目前MDD面向汽車電子、電源、工控、消費電子等應用場景,推出三種工藝MOSFET系列產(chǎn)品,為客戶提供高可靠、高性能的解決方案。
① Planar MOSFET
采用業(yè)界最新的平面技術設計制造而成,具有低導通損耗,高雪崩能量,高可靠性,更好的EMI兼容性等特點。高壓平面MOSFET產(chǎn)品涵蓋500V-700V系列電壓范圍,如下圖,這些產(chǎn)品可滿足各種電源系統(tǒng)的需求(主要適配器,充電器、LED驅(qū)動、PFC電路等)。
② Trench MOSFET
采用先進的Trench 技術設計制造而成,產(chǎn)品具有抗沖擊能力強,高雪崩能力,高可靠性等特點。該系列產(chǎn)品涵蓋N/P 20V~120v電壓范圍,如下圖,這些產(chǎn)品針對不同應用領域?qū)ζ骷阅艿男枨筇攸c采用不同的設計方案,是器件在各個應用場合性能最佳。可廣泛應用工業(yè)控制,消費類電子,通用器件,小電流等。
③ SGT MOSFET
采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,如下表, 可廣泛應用于光伏逆變,儲能變頻,電機驅(qū)動、同步整流等領域中。
MDD辰達半導體簡介
深圳辰達行電子有限公司(簡稱MDD辰達半導體)是一家專注于半導體功率器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。
公司深耕半導體領域15載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。
公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的功率器件設計及封裝測試能力,持續(xù)關注前沿技術及應用領域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。
展望未來,公司將依托行業(yè)洞察的能力,通過品牌與技術雙輪驅(qū)動,快速實現(xiàn)“成為國際半導體功率器件的一線品牌”的發(fā)展愿景,助力中國半導體產(chǎn)業(yè)升級。
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聯(lián)系人:蔡女士
電話:18665844872(微信同號)
Email:chava@huaqiu.com
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